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sic磊晶技術(shù)
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Cree積極擴(kuò)廠開(kāi)發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀察
- 全球SiC晶圓市場(chǎng)規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠Cree為求強(qiáng)化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國(guó)總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴(kuò)建1座先進(jìn)自動(dòng)化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級(jí)工廠(Mega Factory)，期望借此擴(kuò)建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進(jìn)磊晶技術(shù)進(jìn)一步應(yīng)用于功率及射頻元件中。
- 關(guān)鍵字： Cree 射頻 GaN on SiC磊晶技術(shù)
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sic磊晶技術(shù)介紹
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