又一存儲大廠DRAM考慮采用MUF技術

• 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導體上打上數(shù)千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV) 技術后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導體牢固地固定并連接起來。而經(jīng)過測試后獲得的結論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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