IGBT驅(qū)動(dòng)電路

• 摘要： 本文在分析了IGBT驅(qū)動(dòng)條件的基礎(chǔ)上介紹了幾種常見(jiàn)的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，設(shè)計(jì)了一種基于光耦HCPL-316J的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。實(shí)驗(yàn)證明該電路具有良好的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)能力。關(guān)鍵詞： 驅(qū)動(dòng)電路；IGBT保護(hù)；HCPL-316J 引言絕緣門極雙極型晶體管(Isolated Gate Bipolar Transistor簡(jiǎn)稱IGBT)是復(fù)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件，具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn)，因
• 關(guān)鍵字： 0702_A  HCPL-316J  IGBT保護(hù)  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  驅(qū)動(dòng)電路  雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊