3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)

IC Insights：全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場(chǎng)預(yù)測(cè)提升至22％

　　據(jù)IC Insights預(yù)測(cè)，2017年的IC市場(chǎng)增長(zhǎng)率有望提高到22%，較今年年中預(yù)期的16%再提升6個(gè)百分點(diǎn)，出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場(chǎng)預(yù)測(cè)是由于DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的激增。　　此外，IC Insights同時(shí)調(diào)稿對(duì)O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)?？傮w而言，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計(jì)增長(zhǎng)達(dá)20%，比年中預(yù)期調(diào)高5個(gè)百分點(diǎn)。　　2017年，IC Insights預(yù)測(cè)DRAM的平均售價(jià)將大漲77%，預(yù)計(jì)今年將推動(dòng)DRAM
關(guān)鍵字： DRAM NAND

技術(shù)工程師分享：為何PCB設(shè)計(jì)需要3D功能?

技術(shù)工程師分享：為何PCB設(shè)計(jì)需要3D功能?-實(shí)時(shí)3D圖形技術(shù)通過3D PCB設(shè)計(jì)工具，已為PCB設(shè)計(jì)領(lǐng)域帶來變革。對(duì)于希望從3D中獲益的PCB設(shè)計(jì)者，這意味著要選擇一種能夠提供全3D功能的軟件方案。這種方案提供了電路板設(shè)計(jì)者所需要的、能夠幫助他們?cè)谌遮厪?fù)雜的設(shè)計(jì)環(huán)境中創(chuàng)建出具有競(jìng)爭(zhēng)力的下一代電子產(chǎn)品的功能。
關(guān)鍵字： PCB 3D 電路板 CAD

3D液晶電視顯示技術(shù)原理解析

3D液晶電視顯示技術(shù)原理解析-對(duì)于3D電視來說，可能很多朋友僅僅局限于對(duì)畫面效果的認(rèn)識(shí)，對(duì)其顯示原理，很多朋友并不是十分了解。為此，在3D電視陸續(xù)進(jìn)入消費(fèi)者家庭的同時(shí)，不妨我們先一起來了解一下3D電視技術(shù)方面的相關(guān)信息。
關(guān)鍵字： 3D LG 松下

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機(jī)的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時(shí)代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機(jī)的存儲(chǔ)就陷入了茫然。
關(guān)鍵字： DRAM NAND 存儲(chǔ)器

東芝受惡意攻擊導(dǎo)致NAND停產(chǎn)：預(yù)估少生產(chǎn)40萬TB容量

　　援引DigiTimes報(bào)道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴(yán)重的惡意攻擊，被迫關(guān)閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時(shí)間，這將導(dǎo)致近階段公司NAND閃存的供應(yīng)比較緊張。　　DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時(shí)間才能恢復(fù)正常供應(yīng)，預(yù)估將減少10萬個(gè)wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預(yù)估假設(shè)這段停產(chǎn)時(shí)間正常生產(chǎn)，能夠帶來5000萬個(gè)芯片或者40萬TB的NAND閃存。　　近年來由于智能手機(jī)和服務(wù)器的需求不斷增大，NAND的售價(jià)也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
關(guān)鍵字：東芝 NAND

DRAM漲潮再起誰才是真正贏家？

DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價(jià)格瘋漲現(xiàn)象，在NAND Flash以及DRAM市場(chǎng)漲潮不斷的這場(chǎng)角逐中，也許大家都是贏家。
關(guān)鍵字： DRAM NAND

基于magnum 2 測(cè)試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測(cè)試技術(shù)研究

　　摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會(huì)出現(xiàn)壞塊增長(zhǎng)的情況，針對(duì)這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測(cè)試機(jī)的速測(cè)試的方法，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測(cè)試效率。另外，針對(duì)NAND FLASH的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如tREA(讀信號(hào)低電平到數(shù)據(jù)輸出時(shí)間)和tBERS(塊擦除時(shí)間)等，使用測(cè)試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?lì)，完成NAND FLASH的時(shí)序配合，從而達(dá)到器件性
關(guān)鍵字： NAND magnum

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
關(guān)鍵字： DRAM NAND RAM

3D Systems總部大樓以860萬美元的價(jià)格出售給3D Fields LLC

　　3D Systems突然賣掉了他們的總部!3D打印行業(yè)巨頭3D Systems全球總部位于Rock Hill SC的工業(yè)園區(qū)，緊鄰夏洛特附近的NC邊界南部，并已在那里辦公多年。　　該8萬平方米的巨型建筑設(shè)施不僅包括制造和管理，還包括一個(gè)大型(完全秘密)的研究實(shí)驗(yàn)室，而在前面是一個(gè)顯著的示范展覽區(qū)。　　根據(jù)夏洛特商業(yè)雜志：最近交易之后，全球工業(yè)設(shè)備供應(yīng)商3D Systems的總部都處于新的所有權(quán)位置。位于Rock Hill的3D Systems的8028平方英尺的建筑物以860萬美元的價(jià)格向
關(guān)鍵字： 3D Systems

Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析

　　Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤等?！　?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點(diǎn)：分區(qū)、ECC糾錯(cuò)、壞塊管理等。只有真正了
關(guān)鍵字： Nand Flash 東芝

3D NAND微縮極限近了嗎？

隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
關(guān)鍵字： 3D NAND 摩爾定律

3D Systems總部大樓以860萬美元的價(jià)格出售給3D Fields LLC

　　3D Systems突然賣掉了他們的總部!3D打印行業(yè)巨頭3D Systems全球總部位于Rock Hill SC的工業(yè)園區(qū)，緊鄰夏洛特附近的NC邊界南部，并已在那里辦公多年。　　　　該8萬平方米的巨型建筑設(shè)施不僅包括制造和管理，還包括一個(gè)大型(完全秘密)的研究實(shí)驗(yàn)室，而在前面是一個(gè)顯著的示范展覽區(qū)。　　根據(jù)夏洛特商業(yè)雜志：最近交易之后，全球工業(yè)設(shè)備供應(yīng)商3D Systems的總部都處于新的所有權(quán)位置。位于Rock Hill的3D Systems的8028平方英尺的建筑
關(guān)鍵字： 3D Systems

群聯(lián)潘健成：未來五年 NAND供不應(yīng)求

　　內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時(shí)會(huì)補(bǔ)選一席董事，由日商?hào)|芝內(nèi)存株式會(huì)社(TMC)當(dāng)選。在市場(chǎng)供需方面，群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成樂觀表示，未來五年，儲(chǔ)存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應(yīng)求。　　臺(tái)灣東芝先進(jìn)半導(dǎo)體因集團(tuán)組織調(diào)整，今年8月1日辭去群聯(lián)董事，群聯(lián)昨日召開股東臨時(shí)會(huì)補(bǔ)選，并順利由東芝內(nèi)存株式會(huì)社當(dāng)選。　　潘健成表示，東芝內(nèi)存主導(dǎo)負(fù)責(zé)東芝的全球半導(dǎo)體事業(yè)，東芝已將群聯(lián)股權(quán)移轉(zhuǎn)給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資，也透過合作互補(bǔ)，強(qiáng)化技術(shù)，雙方關(guān)系將比過去15年更加緊密，在產(chǎn)業(yè)的競(jìng)
關(guān)鍵字： NAND

2018年NAND Flash供給年增42.9%，全年度供需由緊俏轉(zhuǎn)為平衡

　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機(jī)搭載容量與服務(wù)器需求的帶動(dòng)，加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度不如預(yù)期的影響下，供不應(yīng)求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個(gè)季度;展望2018年，NAND Flash供給將增加42.9%，需求端將成長(zhǎng)37.7%，明年整體供需狀況將轉(zhuǎn)為供需平衡。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，從NAND Flash的供給面來看，因?yàn)镹AND制程從2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D不如預(yù)期，導(dǎo)致2017年非三星陣營(yíng)的新
關(guān)鍵字： NAND 西數(shù)

NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)高漲，NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)高漲，2020年將超DRAM

9月6日，深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國(guó)存儲(chǔ)·全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(China Flash Market Summit 2017)，本文根據(jù)部分會(huì)議內(nèi)容整理了國(guó)內(nèi)外NAND閃存及部分非易失存儲(chǔ)器市場(chǎng)信息。
關(guān)鍵字：閃存 NAND 3D Xpoint 201710