国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 20nm

20nm之后將采取三維層疊技術(shù)

  •   在今后的2年~3年內(nèi),NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來說,到2011年~2012年,通過采用2Xnm的制造工藝與3位/單元~4位/單元的多值技術(shù),NAND閃存很有可能實現(xiàn)128Gb的容量。   但是,如果要實現(xiàn)超過128Gb的更大容量,恐怕就需要全新的技術(shù)。目前正在量產(chǎn)的NAND閃存通常都使用浮柵結(jié)構(gòu)的存儲單元。許多工程師也認為,2011年~2012年將量產(chǎn)的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現(xiàn)有的浮柵結(jié)構(gòu)的存儲單元。但據(jù)SanDisk公司分析,當工藝發(fā)展到20nm以下時,從
  • 關(guān)鍵字: SanDisk  20nm  NAND  
共76條 6/6 |‹ « 1 2 3 4 5 6

20nm介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條20nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對20nm的理解,并與今后在此搜索20nm的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

20nm    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473