20nm 文章 進入20nm技術(shù)社區(qū)
20nm之后將采取三維層疊技術(shù)
- 在今后的2年~3年內(nèi),NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來說,到2011年~2012年,通過采用2Xnm的制造工藝與3位/單元~4位/單元的多值技術(shù),NAND閃存很有可能實現(xiàn)128Gb的容量。 但是,如果要實現(xiàn)超過128Gb的更大容量,恐怕就需要全新的技術(shù)。目前正在量產(chǎn)的NAND閃存通常都使用浮柵結(jié)構(gòu)的存儲單元。許多工程師也認為,2011年~2012年將量產(chǎn)的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現(xiàn)有的浮柵結(jié)構(gòu)的存儲單元。但據(jù)SanDisk公司分析,當工藝發(fā)展到20nm以下時,從
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