- 2005年3月A版 盡管2005年世界半導體業(yè)的銷售值勢比上年大幅下降,但銷量將繼續(xù)快速增長。為迎接這一需求,2005年300mm晶圓片生產線將加速建設。據iSuppli公司預測,當年將共建成16條生產線,比2003和2004年所建線加在一起還多。 2005年建設高潮是經歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線,其回報在2001年經濟衰退中受到嚴重打擊,可執(zhí)著堅持的公司卻在2004年半導體市場再創(chuàng)新高時獲得豐厚回報。 
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DRAM 存儲器
- 英飛凌科技公司在2004年IEEE(電子和電氣工程師學會 2004年12月13~15日于美國舊金山舉行)國際電子器件會議(IEDM)上,展示了該公司具有高生產性的、適合未來DRAM產品的70 nm工藝技術,此技術以在300 mm晶圓上的深溝(DT)單元為基礎。目前全球25%的DRAM生產都是以溝槽技術為基礎的。在其報告中,英飛凌闡述了全部集成計劃和主要技術特征――包括首次在基于溝槽技術的DRAM生產流程中使用高介電常數物質。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術突破,顯示了溝槽技術的可伸縮性。
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DRAM 存儲器
- iSuppli最新發(fā)布的報告指出,今年上半年全球DRAM市場規(guī)模比去年同期增長66%,中國市場增長88%,其次為亞太地區(qū)(不含中國)的81%。日本經濟情況改善,其DRAM銷售增 長70%。美國僅僅增長48%,遠不及全球的66%。 在主要供貨商方面,Hynix、Elpida Memory與大部份臺灣地區(qū)供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長;而三星、美光與英飛凌的市場份額則在下降。中國是全球增長最迅速的DRAM市場,Hynix是該地區(qū)的領導廠商,市場占有率高達42%,去年同期為40%。
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- 企業(yè)網路設備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示,日內發(fā)表其獲獎產品Dragon入侵偵測系統(Intrusion Detection System;IDS)的最新版本。Dragon 5在其基礎架構中加入更好的延展性、可用性與彈性,以強化企業(yè)網路的安全
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IDS 凱創(chuàng) DDR2 DRAM
- 1993年,第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功。
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華晶 DRAM
- 1985年,第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功。
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芯片 DRAM
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