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新型抗總劑量輻照高壓LDMOS結構

  •   馮垚榮(電子科技大學,四川 成都 610054)  摘?要:通過分析低壓MOS中存在的漏電路徑,針對高壓LDMOS面積大,最小寬長比有限制的特點,提出了一種更加適用于高壓LDMOS的新型抗總劑量輻照結構。器件仿真結果顯示,新結構在實現(xiàn)500 krad(Si)的抗輻照能力,并且新結構不會增加面積消耗,與現(xiàn)有工藝完全兼容。  關鍵詞:總劑量效應;高壓LDMOS;抗輻照加固;輻射致漏電路徑  0 引言  LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)相比普通的MOSFET具有高耐壓、高增益等優(yōu)點,被廣泛應用于各種電
  • 關鍵字: 201911  總劑量效應  高壓LDMOS  抗輻照加固  輻射致漏電路徑  
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高壓ldmos介紹

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