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新型抗總劑量輻照高壓LDMOS結構
- 馮垚榮（電子科技大學，四川 成都 610054） 摘?要：通過分析低壓MOS中存在的漏電路徑，針對高壓LDMOS面積大，最小寬長比有限制的特點，提出了一種更加適用于高壓LDMOS的新型抗總劑量輻照結構。器件仿真結果顯示，新結構在實現(xiàn)500 krad(Si)的抗輻照能力，并且新結構不會增加面積消耗，與現(xiàn)有工藝完全兼容。 關鍵詞：總劑量效應；高壓LDMOS；抗輻照加固；輻射致漏電路徑 0 引言 LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)相比普通的MOSFET具有高耐壓、高增益等優(yōu)點，被廣泛應用于各種電
- 關鍵字： 201911 總劑量效應 高壓LDMOS 抗輻照加固 輻射致漏電路徑
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