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X-FAB增強(qiáng)其180納米車規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái),增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA,提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比,此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%,為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。XP018平臺(tái)作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案,基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊,支持-40°C
  • 關(guān)鍵字: X-FAB  180納米  高壓CMOS  代工  
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高壓cmos介紹

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