揭秘碳化硅芯片的設計和制造

• 眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求，接下來我們來看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設計和制造上都獲得了哪些進展和成果。Die Layout下圖是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。圖一芯片的表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate P
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