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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣體上硅

550V無電壓折回逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管器件設計

  • 逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管(RC-LIGBT)由于高電流密度、小封裝成本等優(yōu)點,成為了功率器件領域內(nèi)主流器件之一,然而其會受到電壓折回現(xiàn)象的不利影響。本文提出了一種基于絕緣體上硅技術的RCLIGBT器件,將續(xù)流二極管集成在位于埋氧層下的襯底,利用埋氧層的隔離特性實現(xiàn)了IGBT與續(xù)流二極管之間的電學隔離,進而實現(xiàn)了完全消除電壓折回現(xiàn)象。
  • 關鍵字: 逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管  電壓折回現(xiàn)象  絕緣體上硅  導通壓降  關斷損耗  202009  

一種增大質(zhì)量塊的三軸MEMS加速度計的設計

  •   馮?堃,張國俊,王姝婭,戴麗萍,鐘志親(電子科技大學?電子科學與工程學院,成都611731)  摘?要:介紹了一種增大質(zhì)量塊設計的三軸MEMS加速度計。該加速度計基于絕緣體上硅(SOI)硅片,采用雙面光刻、干法刻蝕的工藝,利用了部分SOI硅片的底層硅部分來增大加速度計的質(zhì)量塊,設計了基于單一米字形質(zhì)量塊的三軸MEMS電容式微加速度計。根據(jù)不同的外界加速度對器件產(chǎn)生的不同位移,研究了在三個軸向的加速度計的靈敏度,同時分析了加速度計的交叉軸耦合的影響。最后結合Ansys仿真結果得出:所設計的微加速度計具有
  • 關鍵字: 202005  微機械系統(tǒng)  三微加速度計  高靈敏度  絕緣體上硅  
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絕緣體上硅介紹

  絕緣體上硅(SOI,Silicon-on-insulator)被業(yè)界公認為納米技術時代取代現(xiàn)有單晶硅材料的解決方案之一,是維持 Moore 定律走勢的一大利器。絕緣體上硅是指以“工程化的”基板代替?zhèn)鹘y(tǒng)的體型襯底硅的基板技術,應用于諸如軍事和空間電子系統(tǒng)等一些專門場合已有20多年,由于SOI具有良好的抗輻射性和高速特性,使它在這些領域具有獨特的優(yōu)勢?! OI 材料是 SOI 技術發(fā)展的基礎,S [ 查看詳細 ]

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