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GT Advanced Technologies和安森美半導(dǎo)體 簽署生產(chǎn)和供應(yīng)碳化硅材料的協(xié)議
- 近日,GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor),宣布執(zhí)行一項(xiàng)為期五年的協(xié)議,總價(jià)值可達(dá)5,000萬(wàn)美元。根據(jù)該協(xié)議,GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX?碳化硅(SiC)材料,用于高增長(zhǎng)市場(chǎng)和應(yīng)用。GTAT總裁兼首席執(zhí)行官Greg Knight說(shuō):“我們很高興與安森美半導(dǎo)體合作,該公司是提供電力電子應(yīng)用的先進(jìn)半導(dǎo)體公認(rèn)全球領(lǐng)袖之一。我們今天的協(xié)議有助于解決SiC作為電力電子應(yīng)用首選半導(dǎo)體基板材料的陡峭
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