第九代 v-nand 文章 進入第九代 v-nand技術社區(qū)
中國半導體市場暢旺 東芝再次上調 2016 上半年獲利預估
- 根據(jù)彭博社的報導，受惠于于儲存晶片以及硬碟業(yè)務的營收成長，加上撙節(jié)計畫的奏效，日本最大半導體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預期營業(yè)利益上調 36%，來到 950 億日圓 (約新臺幣 285.83 億元 )，似乎已經(jīng)完全走出過去因作假帳所造成的經(jīng)營低潮期。 根據(jù)報導，東芝在聲明中表示，除了上調 2016 年上半年的預期營業(yè)利益之外，還同時微幅上調了上半年的預期營收，從 2.55 兆日圓上調至 2.58 兆日圓。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計資料顯示
- 關鍵字： 東芝 NAND
技術革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流
- 慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設計保駕護航 以相同的成本，卻能達到倍增的容量，各家內存大廠對3D NAND創(chuàng)新技術的強力投入，預告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長的起點。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容
- 關鍵字： NAND SSD
FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設計
- 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設計思想。
- 關鍵字： Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)
2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
- 關鍵字： SSD 3D NAND
如何將“壞塊”進行有效利用
- 被廣泛應用于手機、平板等數(shù)碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進行有效的利用，從而滿足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。 要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
- 關鍵字： Nand Flash 寄存器
2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
- 關鍵字： 3D NAND
西數(shù)超車三星電子或點燃NAND價格戰(zhàn)
- 全球硬盤機大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會擴產(chǎn)淹沒市場，重創(chuàng)NAND價格。 巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產(chǎn)64層3D NAND flash，此舉可能導致三星擴產(chǎn)還擊。報告稱，當前三星在業(yè)界握有主導權，將密切關注WD/閃迪(WD去年收購了
- 關鍵字： 西數(shù) NAND
TrendForce：第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯，價格續(xù)揚
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，在智能手機及各種固態(tài)硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲，預期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPh
- 關鍵字： TrendForce NAND
第九代 v-nand介紹
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