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CMOS技術(shù)將迎來(lái)轉(zhuǎn)折點(diǎn) 開(kāi)始從15nm工藝向立體晶體管過(guò)渡

  • 　　邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計(jì)將在2013年前后15nm工藝達(dá)到量產(chǎn)水平時(shí)迎來(lái)重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過(guò)渡。美國(guó)英特爾及臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)等知名半導(dǎo)體廠商均已開(kāi)始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計(jì)也會(huì)對(duì)各公司的微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)帶來(lái)影響。 　　元件材料及曝光技術(shù)也會(huì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折 　　“估計(jì)一多半的半導(dǎo)體廠商都會(huì)在15nm工藝時(shí)向FinFET過(guò)渡”(英特爾)?！霸?0nm以
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臺(tái)積電宣布已開(kāi)發(fā)出22/20nm Finfet雙門立體晶體管制程

  • 　　據(jù)electronicsweekly網(wǎng)站報(bào)道，臺(tái)積電公司近日宣稱已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術(shù)制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內(nèi)含6個(gè)CMOS微晶體管)，據(jù)稱這種制程生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品在0.45V工作 電壓條件下的信號(hào)噪聲僅為0.09V。 　　這種Finfet制程技術(shù)采用了雙外延(dual-epitaxy)和多重硅應(yīng)變(multiple stressors，指應(yīng)用多種應(yīng)力源增強(qiáng)溝道載流子遷移率的技術(shù))技術(shù)，臺(tái)積電宣稱
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立體晶體管介紹

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