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硅片互聯(lián)技術 文章 進入硅片互聯(lián)技術技術社區(qū)

2.5D IC封裝超越摩爾定律,改變游戲規(guī)則

  •   近日,有兩家公司同時發(fā)布了在芯片封裝方面的革命性突破:一個是意法半導體宣布將硅通孔技術(TSV)引入MEMS芯片量產,在意法半導體的多片MEMS產品(如智能傳感器、多軸慣性模塊)內,硅通孔技術以垂直短線方式取代傳統(tǒng)的芯片互連線方法(無需打線綁定),在尺寸更小的產品內實現(xiàn)更高的集成度和性能。另一個則是賽靈思宣布通過堆疊硅片互聯(lián) (SSI) 技術,將四個不同 FPGA 芯片在無源硅中介層上并排互聯(lián),結合TSV技術與微凸塊工藝,構建了相當于容量達2000萬門ASIC的可編程邏輯器件。雖然同樣是基于TSV技術
  • 關鍵字: 賽靈思  封裝  硅片互聯(lián)技術  
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硅片互聯(lián)技術介紹

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