電力半導體模塊文章進入電力半導體模塊技術社區(qū)

電力半導體模塊的發(fā)展過程及新趨勢

　　摘要：簡要敘述了電力半導體模塊的發(fā)展過程，介紹了晶閘管智能模塊的結構和特性，描述了IGBT智能模塊的現狀和發(fā)展趨勢，指出了我國大力發(fā)展IPEM的必要性。　　關鍵詞：電力半導體模塊;智能晶閘管模塊;IGBT模塊;IGBT智能模塊　　一種新型器件的誕生往往使整個裝置系統(tǒng)面貌發(fā)生巨大改觀，促進電力電子技術向前發(fā)展。自1957年第一個晶閘管問世以來，經過40多年的開發(fā)和研究，已推出可關斷晶閘管(GTO)，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等40多種電力半導體器件，目前正沿著高頻化、大功率化、智能化和模塊化的
關鍵字：電力半導體模塊智能晶閘管模塊 IGBT模塊半導體材料

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電力半導體模塊介紹

　　電力半導體模塊是分立半導體器件的經一步發(fā)展，它是現代電力電子設備的主要器件。電力電子半導體器件在現代電力電子技術中占據著重要的地位，它正向高頻化、大功率化、智能化和模塊化方向發(fā)展，其中模塊化應用更為深入。電力半導體模塊產品廣泛用于建筑、通信、電力、電子、化工、機械等領域。　　a) 使用環(huán)境應無劇烈振動和沖擊，環(huán)境介質中應無腐蝕金屬，破壞絕緣的雜質和氣氛；　　b) 模塊的工作溫度：晶閘管-40℃ [ 查看詳細 ]

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