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功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)(一)---功率半導(dǎo)體的熱阻
- / 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開通和關(guān)斷過程中和導(dǎo)通電流時會產(chǎn)生損耗,損失的能量會轉(zhuǎn)化為熱能,表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱,器件的發(fā)熱會造成器件各點溫度的升高。半導(dǎo)體器件的溫度升高,取決于產(chǎn)生熱量多少(損耗)和散熱效率(散熱通路的熱阻)。IGBT模塊的風(fēng)冷散熱
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模組內(nèi)部燈條LED真實熱阻模擬測試系統(tǒng)研究與分析

- LED封裝、模組的質(zhì)量水平,如光通量、坐標(biāo)等光性能,與LED內(nèi)部芯片的結(jié)溫高低密切相關(guān)。一般LED結(jié)溫高,則性能差。因此,對于LED芯片企業(yè)、LED封裝企業(yè)和LED模組整機(jī)企業(yè),了解LED芯片各層結(jié)構(gòu)的熱阻顯得十分必要?,F(xiàn)有的測量方法有很多,如紅外熱像儀法、電學(xué)參數(shù)法、光功率法等,行業(yè)測量熱阻比較通用、靠譜的方法是電學(xué)參數(shù)法。本文采用的測試方法是基于電學(xué)參數(shù)法原理,同時利用“焊腳溫度、環(huán)境溫度”等效法,通過設(shè)計相應(yīng)的PCB規(guī)格,使T3ster熱阻測試儀可測量的待測LED模塊的焊腳及環(huán)境溫度,與真實模組或整
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IC 的熱特性-熱阻
- IC 封裝的熱特性對IC 應(yīng)用和可靠性是非常重要的參數(shù)。本文詳細(xì)描述了標(biāo)準(zhǔn)封裝的熱特性主要參數(shù):熱阻(ΘJA、ΘJC、ΘCA)等參數(shù)。本文就熱阻相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展、物理意義及測量方式等相關(guān)問題作詳細(xì)介紹,并提出了在實際系統(tǒng)中熱計算和熱管理的一些經(jīng)驗方法。希望使電子器件及系統(tǒng)設(shè)計工程師能明了熱阻值的相關(guān)原理及應(yīng)用,以解決器件及系統(tǒng)過熱問題。
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熱阻介紹
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