熱設計 文章 進入熱設計技術(shù)社區(qū)
功率器件的熱設計基礎(一)---功率半導體的熱阻
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識,相關(guān)標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關(guān)斷過程中和導通電流時會產(chǎn)生損耗,損失的能量會轉(zhuǎn)化為熱能,表現(xiàn)為半導體器件發(fā)熱,器件的發(fā)熱會造成器件各點溫度的升高。半導體器件的溫度升高,取決于產(chǎn)生熱量多少(損耗)和散熱效率(散熱通路的熱阻)。IGBT模塊的風冷散熱
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 功率器件 熱設計 熱阻
功率器件的熱設計基礎(二)---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識,相關(guān)標準和工程測量方法。第一講 《功率器件熱設計基礎(一)----功率半導體的熱阻》 ,已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來了,那自然會想到熱阻也可以通過串聯(lián)和并聯(lián)概念來做數(shù)值計算。熱阻的串聯(lián)首先,我們來看熱阻的串聯(lián)。當兩個或多個導熱層依次排列,熱量依次通過
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 功率器件 熱設計 串聯(lián) 并聯(lián)
功率器件熱設計基礎(三)----功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯(lián)系實際,比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識,相關(guān)標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂層串聯(lián)構(gòu)成的。各層都有相應的熱阻,這些熱阻是串聯(lián)的,總熱阻等于各熱阻之和,這是因為熱量在傳遞過程中,需要依次克服每一個熱阻,所以總熱阻就是
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 功率器件 熱設計 散熱器
功率器件熱設計基礎(四)——功率半導體芯片溫度和測試方法
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識,相關(guān)標準和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復雜的問題,從芯片表面測量溫度,可以發(fā)現(xiàn)單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設計一般可以取加權(quán)平均值或給出設計余量。這是一個MOSFET單管中的芯片,直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的,光標1的位置與光標2位置溫度
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 功率器件 熱設計 溫度測試
功率器件熱設計基礎(五)——功率半導體熱容
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識,相關(guān)標準和工程測量方法。熱容熱容 C th 像熱阻 R th 一樣是一個重要的物理量,它們具有相似的量綱結(jié)構(gòu)。熱容和電容,都是描述儲存能力物理量,平板電容器電容和熱容的對照關(guān)系如圖所示。平板電容器電容和熱容
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 功率器件 熱設計 功率半導體熱容
功率器件熱設計基礎(七)——熱等效模型
- 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識,相關(guān)標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念,自然就會想到在導熱材料串并聯(lián)時,就可以用阻容網(wǎng)絡來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構(gòu)成,各層都有一定的熱阻和熱容,哪怕是散熱器,其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 功率器件 熱設計 熱等效模型
功率器件熱設計基礎(九)——功率半導體模塊的熱擴散
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識,相關(guān)標準和工程測量方法。任何導熱材料都有熱阻,而且熱阻與材料面積成反比,與厚度成正比。按道理說,銅基板也會有額外的熱阻,那為什么實際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢?這是因為熱的橫向擴散帶來的好處。熱橫向擴散除了熱阻熱容,另一個影響半導體散熱的重要物理效應為熱的橫向傳
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 功率器件 熱設計 熱擴散
功率器件熱設計基礎(十)——功率半導體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識,相關(guān)標準和工程測量方法。為什么引入結(jié)構(gòu)函數(shù)?在功率器件的熱設計基礎系列文章 《功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》 和 《功率半導體芯片溫度和測試方法》 分別講了功率半導體結(jié)溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法,用的
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 功率器件 熱設計 結(jié)構(gòu)函數(shù)
功率器件熱設計基礎(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
- 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識,相關(guān)標準和工程測量方法。驅(qū)動IC電流越來越大,如采用DSO-8 300mil寬體封裝的EiceDRIVER? 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC緊湊型單通道隔離式柵極驅(qū)動器,驅(qū)動電流高達+/-18A,且具有兩級電壓變化率控制和有
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 功率器件 熱設計 熱系數(shù)
揭秘熱設計:集成電路設計的關(guān)鍵密碼

- 熱設計是一個至關(guān)重要的課題,其中的各種規(guī)則、縮略語和復雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領域;但其對于集成電路設計的意義卻不容忽視——畢竟,溫度是導致大多數(shù)半導體在現(xiàn)實應用中失效的最大環(huán)境因素。元件的預期壽命會隨著溫度的每一度升高而縮短。本文將帶您深入探討設計工程師在熱設計過程中需要關(guān)注的一些關(guān)鍵問題。具體來說,我們將聚焦大功率氮化鎵(GaN)器件及其在實際應用中所面臨的相關(guān)熱問題。針對可靠性的熱設計熱設計是一個復雜的課題,但其中也有一些基礎原理值得深入探討。首先讓我們回顧一下在印刷電路板(PCB
- 關(guān)鍵字: Qorvo 熱設計 集成電路設計
開關(guān)電源的熱設計方法詳解
- 開關(guān)電源已普遍運用在當前的各類電子設備上,其單位功率密度也在不斷地提高。高功率密度的定義從1991年的25w/ ...
- 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源 熱設計
熱設計介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條熱設計!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對熱設計的理解,并與今后在此搜索熱設計的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對熱設計的理解,并與今后在此搜索熱設計的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
