半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關和導通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯結構并優(yōu)化了器件相關參數，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅動和控制，應用設計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅動器也可以很容易地驅動它們。 新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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近期氮化鎵充電器市場競爭非常激烈，眾多知名品牌紛紛加入戰(zhàn)場，最近我們拿到了RAVPOWER的61W和65W兩款氮化鎵充電器。其中，RAVPOWER 61W氮化鎵充電器采用典型的方正圓角機身搭配可折疊插腳設計，非常便攜。產品具備齊全的電壓檔位，能夠很好的滿足手機和筆記本的快充需求。下面我們就和小伙伴分享這款充電器的拆解，看看其用料做工如何。一、RAVPOWER 61W氮化鎵充電器外觀RAVPOWER這款61W氮化鎵充電器采用圓角方正造型設計，機身正背面微微弧面凸起，再搭配上可折疊插腳，讓產品顯得非常小巧，攜
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日前，高新區(qū)管委會與位于臺灣的欣憶電子股份有限公司通過視頻連線召開海峽兩岸項目推進會，就第三代半導體六英寸氮化鎵項目推進開展“云洽談”。這個亞太地區(qū)半導體設備商的領頭羊即將把16億元的項目放到漓東這片熱土上。
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近日，氮化鎵射頻及功率器件項目樁基開工。這個項目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實施，全部達產后預計實現年銷售30億元以上，可進一步推動嘉興集成電路新一代半導體產業(yè)。
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半導體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經狂奔了50多年，隨著半導體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導體行業(yè)的加速度已經明顯放緩。除了進一步發(fā)展在摩爾定律下的制造工藝外，尋找硅（Si）以外新一代的半導體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，氮化鎵（GaN）近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。GaN是一種新型的半導體材料，中文名為氮化鎵，英文名稱是 Gallium nitride。它是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（Direct Bandgap）的半導體，也是一種寬禁帶半導體材料。與碳化硅（
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提起康佳這個品牌,相信很多人第一印象都會想到電視機。不過近些年由于市場競爭的家居,康佳電視的風光程度也大不如從前。不過康佳也早有未雨綢繆,從家電行業(yè)轉進半導體芯片市場的不止格力電器一家,康佳公司這兩年也開始布局芯片市場。并且成果漸顯,首款存儲芯片實現量產引發(fā)多方關注?？导讶雸鲂酒I域康佳集團于1992年上市,曾是中國彩電和手機行業(yè)的龍頭公司,擁有消費多媒體、移動通信、信息網絡和相關配套器件等產業(yè)板塊。2018年5月,康佳宣布由家電企業(yè)轉型為以科技創(chuàng)新驅動的投資平臺,同時成立了半導體科技事業(yè)部,正式進軍芯片
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加快先進功率氮化鎵解決方案的開發(fā)和上市；充分利用意法半導體的汽車市場專業(yè)知識和臺積電的世界領先的制造技術；改進寬帶隙產品的能效，使功率轉換應用獲得更高能效。
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美國加利福尼亞州圣何塞，2019年7月25日訊– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關電源IC的新成員。新IC可在整個負載范圍內提供95%的高效率，并且在密閉適配器內不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內部開發(fā)的高壓氮化鎵開關技術。準諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro I
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據業(yè)內人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點項目，國產化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國外壟斷。這標志著今后國內各大芯片企業(yè)生產5G通信芯片，有望用上國產材料。
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在現實世界中，沒有人可以和“半導體”撇清關系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機以及電視等等，都會用到半導體元件。半導體的重要性自不必說，今天我們來說一下半導體產業(yè)中一個很關鍵的組成部分，那就是半導體材料。
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第三代半導體材料技術正在成為搶占下一代信息技術、節(jié)能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產業(yè)的重要組成內容。
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英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN? 600 V增強型HEMT和氮化鎵開關管專用驅動IC(GaN EiceDRIVER? IC)，精彩亮相2018年德國慕尼黑電子展。英飛凌展示了其產品的優(yōu)越性：它們具備更高功率密度，可實現更加小巧、輕便的設計，從而降低系統(tǒng)總成本和運行成本，以及減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出，目前，英飛凌是市場上唯一一家提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列
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將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。
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我經常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場
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