LED顯示屏作為一項高科技產(chǎn)品引起了人們高度重視,采用計算機(jī)控制,將光、電融為一體的大屏幕智能顯示屏已經(jīng)應(yīng)用到很多領(lǐng)域。LED顯示屏的像素點采用LED發(fā)光二極管,將許多發(fā)光二極管以點陣方式排列起來,構(gòu)成LED陣列,進(jìn)而
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比較 芯片 驅(qū)動 顯示屏 LED
比較分析三種不同的嵌入式多內(nèi)核設(shè)計,使用多處理器內(nèi)核要求軟、硬件團(tuán)隊之間進(jìn)行更多的系統(tǒng)級設(shè)計合作。基于這種理念，下面是對采用當(dāng)前開發(fā)工具和硬件直接實現(xiàn)多內(nèi)核系統(tǒng)的三個簡單模型的概述。這些多內(nèi)核設(shè)計模式不是一個為了嚴(yán)格定義一個系統(tǒng)的剛性模
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內(nèi)核 設(shè)計 嵌入式 不同 分析 比較
1 引言 高壓電動機(jī)在未進(jìn)行調(diào)速改造之前，由電機(jī)上口的斷路器控制啟停，電動機(jī)直接與母線連接，定速運行。在進(jìn)行變頻調(diào)速改造后，電動機(jī)與母線之間除了原來的高壓斷路器外，還增加了一套高壓變頻調(diào)速裝置。隨著變
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方式 高壓變頻器 比較 手動旁路
經(jīng)?？吹揭恍┪恼潞驮u論認(rèn)為與LCD比較，OLED設(shè)備投資少，工藝簡單，生產(chǎn)成本低。這種看法是完全錯誤的，成本不在于工藝簡單不簡單，而在于各步工序的成品率。我一直想不通LCD投資怎么會比OLED多。LCD的主要設(shè)備投資在
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OLED LCD 工藝 比較
OLED與LCD技術(shù)的比較
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OLED LCD 比較
太陽能光伏技術(shù)是將太陽能轉(zhuǎn)化為電力的技術(shù)，其核心是可釋放電子的半導(dǎo)體物質(zhì)，最常用的半導(dǎo)體材料是硅。太陽能光伏電池有兩層半導(dǎo)體，一層為正極，一層為負(fù)極，當(dāng)陽光照射在半導(dǎo)體上時，兩極交界處產(chǎn)生電流，陽光強(qiáng)
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光伏 發(fā)電技術(shù) 比較
市場上可以買到的微功率 電源 芯片有以下幾種控制模式： PFM、PWM 、chargepump、FPWM、PFM/PWM以及pulse-skipPWM、digitalPWM 其中常見的有PFM、PWM、chargepump以及PFM/PWM 1、PFM是通過調(diào)節(jié)脈沖頻率(即開
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模式 比較 控制 其他 驅(qū)動 LED
FPGA 解決方案和標(biāo)準(zhǔn)控制器內(nèi)核比較, MicroBlaze處理器是賽靈思(Xilinx)在嵌入式開發(fā)套件 (EDK) 中提供的兩款32位內(nèi)核之一，是實現(xiàn)硬件加速的靈活工具。圖1是MicroBlaze的典型設(shè)計。該內(nèi)核含有一個32位乘法器，但不含浮點單元(FPU)、桶式移位器或?qū)Ｓ糜?/li>
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內(nèi)核 比較 控制器 標(biāo)準(zhǔn) 解決方案 FPGA
中心議題： 基于電流極限比較器的設(shè)計 電流極限比較器的新結(jié)構(gòu)及原理解決方案： 采用電流鏡網(wǎng)絡(luò)代替電阻網(wǎng)絡(luò) 采用TSMC0.25mu;m工藝模型 采用cascode結(jié)構(gòu)組成電流比較器
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設(shè)計 比較 極限 電流 基于
光傳感器的應(yīng)用非常普遍。從便攜式消費類市場(智能手機(jī)、PDA、臺式PC以及便攜式音樂播放器等)到消費類電視機(jī)市場(包括液晶、等離子、背投以及CRT電視等)，再到醫(yī)療、工業(yè)及汽車市場，光傳感器無處不在。其中，一些應(yīng)
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比較 光敏 傳感器 可見光
1.引言
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比較 極限 電流 新型
什么是模塊化穩(wěn)壓器？ 下面的示意圖給出了一個簡單的非隔離式直流/直流開關(guān)穩(wěn)壓器的基本構(gòu)建模塊。脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制、電流開關(guān)以及儲存能量的電感和電容都是必需配置。右側(cè)的模塊化穩(wěn)壓器將電流開關(guān)連同電感都
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電源模塊 比較 分立式穩(wěn)壓器
從IEC的定義來說，EPS從功能上與后備式UPS的定義是符合的，即在市電正常時，由市電向負(fù)載供電;當(dāng)市電出現(xiàn)故障時，由電池組提供能量，經(jīng)逆變器向負(fù)載供電。但是，有人說EPS就是后備式UPS，這種說法并不科學(xué)，貶低了EP
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比較 區(qū)別 UPS EPS
摘要：本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。
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模式 比較 失效 器件 及其 IGBT
摘要：本文介紹了高電壓鋰離子電池組的四種充電方法，并進(jìn)行了優(yōu)缺點的比較。 關(guān)鍵詞：高電壓；鋰離子電池組；串聯(lián)充電；并聯(lián)充電 Abstract: Four charge techniques of high voltage lithium ion battery pac
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方法 比較 充電 電池組 鋰離子 電壓
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