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心電采集系統(tǒng)中模擬電路的設(shè)計方案
- 心電采集系統(tǒng)中模擬電路的設(shè)計方案, 心電信號作為心臟電活動在人體體表的表現(xiàn),信號比較微弱,其頻譜范圍是0.05~ 200Hz,電壓幅值為0~5mV,信號源的阻抗為數(shù)千歐到數(shù)百千歐,并且存在著大量的噪聲, 所以心電采集系統(tǒng)的合理設(shè)計是能否得到正確的心
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解讀SICAS 2010Q1全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能

- SICAS是一家國際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計機構(gòu)。 它統(tǒng)計的數(shù)據(jù)中,表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計,另一類工藝為雙極工藝,通常用在模擬電路中。除了標有300mm硅片MOS之外,雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計,而分立器件以6英寸等值硅片計。總的半導(dǎo)體SC數(shù)據(jù),包括雙極數(shù)據(jù)由5英寸轉(zhuǎn)換成8英寸利用轉(zhuǎn)換率0.391及分立器件由6英寸轉(zhuǎn)換成8英寸,利用轉(zhuǎn)換率0.563。 所有數(shù)據(jù)的時間段在2007 Q1至2010 Q1,包括產(chǎn)能、實際產(chǎn)出及產(chǎn)能利用率,代工的產(chǎn)能單列。產(chǎn)能是按線寬尺寸及小于8英寸;200m
- 關(guān)鍵字: 硅片 模擬電路 300mm
追趕65納米
- 在渡過困難的09年后,全球半導(dǎo)體業(yè)迎來新一輪的高潮。市場相繼出現(xiàn)存儲器, 模擬電路等缺貨現(xiàn)象及OEM庫存不足。具風向標意義的1Gb DDR2價格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達及海力士都報導(dǎo)扭虧為盈, 預(yù)計2010年全球DRAM增長40%,可達319億美元。 以臺積電為首的代工業(yè)也是看好, 預(yù)計今年有20%的增長。2010年Q1,它的65納米先進制程取消淡季的固定優(yōu)惠,實際上是變相的價格上漲。臺積電去年第四季營收920.9億臺幣,季增2.4%,65納米占營收30%,
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