“單正向”柵驅動IGBT簡化驅動電路

• 　　目前，為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時產(chǎn)生瞬時集電極電流，設計人員一般會設計柵特性是需要負偏置柵驅動的IGBT。然而提供負偏置增加了電路的復雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅動器，因為這些IC是專為接地操作而設計──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅動器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了。器件與負偏置柵驅動IGBT進行性能表現(xiàn)的比較測試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測試結果。 　　為了理解dV/dt感生開通現(xiàn)象，我們必須考慮跟
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