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電源測(cè)試全攻略(一):極限測(cè)試
- 本文將詳細(xì)介紹電源測(cè)試中的極限測(cè)試,包括模塊輸出電流極限測(cè)試、靜態(tài)高壓輸入、溫升極限測(cè)試、EFT抗擾性測(cè)試、溫度沖擊強(qiáng)化試驗(yàn)、低溫步進(jìn)試驗(yàn)、高溫步進(jìn)試驗(yàn)、絕緣強(qiáng)度極限試驗(yàn)等。 1.模塊輸出電流極限測(cè)試 模塊輸出電流極限測(cè)試是測(cè)試模塊在輸出限流點(diǎn)放開(kāi)(PFC的過(guò)流保護(hù)也要放開(kāi))之后所能輸出的最大電流,測(cè)試的目的是為了驗(yàn)證模塊的限流點(diǎn)設(shè)計(jì)是否適當(dāng),模塊的器件選擇是否合適。如果模塊的輸入電流極限值偏小,表明模塊的輸出電流量不夠;如果模塊的輸出電流極限值設(shè)計(jì)過(guò)大,表明模塊的輸出電流裕量過(guò)高,模塊的成本還可以降
- 關(guān)鍵字: 電源 極限 電流
基于電流極限比較器的設(shè)計(jì)
- 中心議題: 基于電流極限比較器的設(shè)計(jì) 電流極限比較器的新結(jié)構(gòu)及原理解決方案: 采用電流鏡網(wǎng)絡(luò)代替電阻網(wǎng)絡(luò) 采用TSMC0.25mu;m工藝模型 采用cascode結(jié)構(gòu)組成電流比較器
1.引言
開(kāi)關(guān)電源因體積 - 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 比較 極限 電流 基于
TI 全新TMS320C66x 定點(diǎn)與浮點(diǎn)DSP內(nèi)核成功挑戰(zhàn)速度極限

- TI 全新TMS320C66x 定點(diǎn)與浮點(diǎn)DSP內(nèi)核成功挑戰(zhàn)速度極限, 德州儀器 (TI) 全新 TMS320C66x 數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) 內(nèi)核不僅為屢獲殊榮的 C64x+trade; 指令集架構(gòu) (ISA) 帶來(lái)了顯著的性能提升,同時(shí)還在同一處理內(nèi)核中高度集成了針對(duì)浮點(diǎn)運(yùn)算的支持。浮點(diǎn)處理技術(shù)首次能夠
- 關(guān)鍵字: 成功 挑戰(zhàn) 速度 極限 內(nèi)核 DSP 全新 TMS320C66x 定點(diǎn)
23億個(gè)晶體管 處理器挑戰(zhàn)集成度及性能極限
- 盡管高登-E-摩爾(Gordon E. Moore)提出警告,認(rèn)為“摩爾法則”無(wú)法繼續(xù)有效,但微處理器的高集成度化仍在進(jìn)一步發(fā)展,并為性能的提高作出重大貢獻(xiàn)。雖然處理器內(nèi)核的數(shù)量及緩存容量持續(xù)增加,但目前仍存在諸多應(yīng)該解決的重要課題,其中包括芯片間的通信性能出現(xiàn)瓶頸、耗電量增加、以及由于軟錯(cuò)誤及缺陷造成的錯(cuò)誤等導(dǎo)致的可靠性低下等。另外,芯片內(nèi)的時(shí)鐘及電源分配難度也很高,因此要求進(jìn)一步革新電路技術(shù)。
- 關(guān)鍵字: ISSCC 處理器 晶體管 集成度 性能 極限
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