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電源測(cè)試全攻略(一):極限測(cè)試

  • 本文將詳細(xì)介紹電源測(cè)試中的極限測(cè)試,包括模塊輸出電流極限測(cè)試、靜態(tài)高壓輸入、溫升極限測(cè)試、EFT抗擾性測(cè)試、溫度沖擊強(qiáng)化試驗(yàn)、低溫步進(jìn)試驗(yàn)、高溫步進(jìn)試驗(yàn)、絕緣強(qiáng)度極限試驗(yàn)等。 1.模塊輸出電流極限測(cè)試 模塊輸出電流極限測(cè)試是測(cè)試模塊在輸出限流點(diǎn)放開(kāi)(PFC的過(guò)流保護(hù)也要放開(kāi))之后所能輸出的最大電流,測(cè)試的目的是為了驗(yàn)證模塊的限流點(diǎn)設(shè)計(jì)是否適當(dāng),模塊的器件選擇是否合適。如果模塊的輸入電流極限值偏小,表明模塊的輸出電流量不夠;如果模塊的輸出電流極限值設(shè)計(jì)過(guò)大,表明模塊的輸出電流裕量過(guò)高,模塊的成本還可以降
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淺談讓微控制器性能發(fā)揮極限的方法

  • 淺談讓微控制器性能發(fā)揮極限的方法,如今微控制器需要執(zhí)行廣大范圍的任務(wù),包括管理實(shí)時(shí)控制算法、解碼高速通信協(xié)定,以及處理高頻傳感器發(fā)出的信號(hào)。微控制器是將微型計(jì)算機(jī)的主要部分集成在一個(gè)芯片上的單芯片微型計(jì)算機(jī)。微控制器誕生于20世紀(jì)70年代
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讓微控制器性能發(fā)揮極限的方法

  • 讓微控制器性能發(fā)揮極限的方法,如今微控制器需要執(zhí)行廣大范圍的任務(wù),包括管理實(shí)時(shí)控制算法、解碼高速通信協(xié)定,以及處理高頻傳感器發(fā)出的信號(hào)。輪詢(xún)方法(如檢查端口以確定新數(shù)據(jù)是否經(jīng)已到達(dá))會(huì)消耗過(guò)多的CPU周期,而且對(duì)可靠服務(wù)I/O與外設(shè)的最
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基于電流極限比較器的設(shè)計(jì)

  • 中心議題: 基于電流極限比較器的設(shè)計(jì) 電流極限比較器的新結(jié)構(gòu)及原理解決方案: 采用電流鏡網(wǎng)絡(luò)代替電阻網(wǎng)絡(luò) 采用TSMC0.25mu;m工藝模型 采用cascode結(jié)構(gòu)組成電流比較器
    1.引言

    開(kāi)關(guān)電源因體積
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一種新型的電流極限比較器

  • 1.引言

    開(kāi)關(guān)電源因體積小、重量輕、效率高、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)在電子、電器設(shè)備、家電等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用, 進(jìn)入了快速發(fā)展期。開(kāi)關(guān)電源的基本工作原理為: 在不同的負(fù)載情況下, 反饋控制電路通過(guò)改變功率開(kāi)關(guān)管
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TI 全新TMS320C66x 定點(diǎn)與浮點(diǎn)DSP內(nèi)核成功挑戰(zhàn)速度極限

  • TI 全新TMS320C66x 定點(diǎn)與浮點(diǎn)DSP內(nèi)核成功挑戰(zhàn)速度極限, 德州儀器 (TI) 全新 TMS320C66x 數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) 內(nèi)核不僅為屢獲殊榮的 C64x+trade; 指令集架構(gòu) (ISA) 帶來(lái)了顯著的性能提升,同時(shí)還在同一處理內(nèi)核中高度集成了針對(duì)浮點(diǎn)運(yùn)算的支持。浮點(diǎn)處理技術(shù)首次能夠
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如何讓微控制器性能發(fā)揮極限

  • 如何讓微控制器性能發(fā)揮極限,如今微控制器需要執(zhí)行廣大范圍的任務(wù),包括管理實(shí)時(shí)控制算法、解碼高速通信協(xié)定,以及處理高頻傳感器發(fā)出的信號(hào)。輪詢(xún)方法(如檢查端口以確定新數(shù)據(jù)是否經(jīng)已到達(dá))會(huì)消耗過(guò)多的CPU周期,而且對(duì)可靠服務(wù)I/O與外設(shè)的最
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23億個(gè)晶體管 處理器挑戰(zhàn)集成度及性能極限

  •         盡管高登-E-摩爾(Gordon E. Moore)提出警告,認(rèn)為“摩爾法則”無(wú)法繼續(xù)有效,但微處理器的高集成度化仍在進(jìn)一步發(fā)展,并為性能的提高作出重大貢獻(xiàn)。雖然處理器內(nèi)核的數(shù)量及緩存容量持續(xù)增加,但目前仍存在諸多應(yīng)該解決的重要課題,其中包括芯片間的通信性能出現(xiàn)瓶頸、耗電量增加、以及由于軟錯(cuò)誤及缺陷造成的錯(cuò)誤等導(dǎo)致的可靠性低下等。另外,芯片內(nèi)的時(shí)鐘及電源分配難度也很高,因此要求進(jìn)一步革新電路技術(shù)。
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