智新半導體 文章 進入智新半導體技術社區(qū)
東風首批自主碳化硅功率模塊下線
- 11月2日消息,據(jù)“智新科技”官微消息,近日,首批采用納米銀燒結(jié)技術的碳化硅模塊從智新半導體二期產(chǎn)線順利下線,完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術,使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上,工作溫度可達175℃,損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上,整車續(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉,智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺,項目于2021年進行前期先行開發(fā),2022年12月正式立項為量產(chǎn)
- 關鍵字: IGBT 碳化硅 東風 智新半導體
共1條 1/1 1 |
智新半導體介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條智新半導體!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對智新半導體的理解,并與今后在此搜索智新半導體的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對智新半導體的理解,并與今后在此搜索智新半導體的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
