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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 技術(shù)簡介

個人健康無線監(jiān)測技術(shù)簡介

  • 個人健康無線監(jiān)測技術(shù)簡介,便攜式醫(yī)療電子設備，將使一切變得皆有可能：當心臟病患者開始出現(xiàn)心臟房顫的危急關(guān)頭，可迅速使用便攜式自動除顫器，在緩解病情的同時，該機器還能記錄下發(fā)病時的心電圖，并通過網(wǎng)絡在第一時間傳給主治醫(yī)生；在赴宴
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電接枝技術(shù)簡介

  • 3D-IC設計者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，從而設計出更小尺寸的通孔，以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間，最終改進信號的完整性。事實上，當前傳統(tǒng)的TSV生產(chǎn)供應鏈已落后于ITRS對其的預測。以干法和濕
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地下管線探測技術(shù)簡介

  • 1、地下管線探測技術(shù)簡介　　地下管線探測技術(shù)已應用多年。早在第二次世界大戰(zhàn)末，人們?yōu)榱藢ふ覒?zhàn)爭遺留的地雷和其他未爆炸物而試圖將物探技術(shù)應用于實際，但當時只有一些常規(guī)物探方法，由于分辨率低、抗干擾能力差
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數(shù)字化超聲探傷儀原理及UT檢測技術(shù)簡介

  • 1 引 言

    UT檢測技術(shù)作為工業(yè)上5大常規(guī)無損檢測技術(shù)之一，一直被人們廣泛地使用。在UT中長期使用的是A型脈沖反射式超聲波探傷儀，其電路方框圖如圖1所示。


    此種儀器顯示器顯示的是電脈沖信號，探傷人員要從這
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強流脈沖發(fā)生器技術(shù)簡介

  • 合肥光源滿能量注入系統(tǒng)升級所需沖擊磁鐵設計參數(shù)分別為注入束流能量800 MeV；偏轉(zhuǎn)角度6．895 mrad；峰值磁感應強度0．096 T；電感0．5H；峰值電流3 100 A；脈沖波形底寬800 ns～3．5us。依據(jù)該設計參數(shù)對下面幾種脈
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靈活LTE測試技術(shù)簡介

  • 長期演進(LTE)無線網(wǎng)絡給測試設備供應商提出了若干挑戰(zhàn)。3GPP定義的LTE空中接口，在下行采用正交頻分多址(OFDMA)技術(shù)，在上行采用單載頻頻分多址(SC-FDMA)技術(shù)，且上下行同時采用了多輸入多輸出(MIMO)天線配置以最大
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鎖相放大器技術(shù)簡介

  • 1.結(jié)構(gòu)電路圖
    2.原理
    鎖相放大器實際上是一個模擬的傅立葉變換器，鎖相放大器的輸出是一個直流電壓，正比于是輸入信號中某一特定頻率（參數(shù)輸入頻率）的信號幅值。而輸入信號中的其他頻率成分將不能對輸出電壓
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光電PCB技術(shù)簡介

  • 一、引言隨著多媒體業(yè)務，包括電話，有線電視（CATV），數(shù)字電視和Internet的快速和全面發(fā)展，對電路帶寬和容量的要求急劇增加。在傳統(tǒng)的電學領(lǐng)域，信號的傳輸和開關(guān)的速度已經(jīng)受到限制。以電子計算機為例，其CPU的主
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三種XDSL技術(shù)的調(diào)制方式及應用技術(shù)簡介

  • 隨著Internet的飛速發(fā)展，通信技術(shù)正在經(jīng)歷一場巨大變革，由于入網(wǎng)用戶數(shù)迅速增加；接入網(wǎng)作為通信網(wǎng)中與末端用戶相連的網(wǎng)絡，已成為網(wǎng)絡技術(shù)中的一大熱點。 當前主要的接入技術(shù)有混合光纖/同軸(HFC)接入技術(shù)、光纖接入技術(shù)、銅線接入技術(shù)和無線接入技術(shù)。其中銅線接入以現(xiàn)有電話線為傳輸媒體，利用先進的數(shù)字信號處理技術(shù)及調(diào)制解調(diào)枯術(shù)提高傳輸諫率和距離。主要有HDSL(高速數(shù)字用戶環(huán)路)、ADSL(非對稱數(shù)字用戶環(huán)路)和VDSL (超高速數(shù)字用戶環(huán)路)。使用XDSL 技術(shù)的雙絞銅線配置了分離音
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SiP設計：優(yōu)勢與挑戰(zhàn)并行

  • 隨著SoC開發(fā)成本的不斷增加，以及在SoC中實現(xiàn)多種功能整合的復雜性，很多無線、消費類電子的IC設計公司和系統(tǒng)公司開始采用“系統(tǒng)級封裝”(SiP)設計以獲得競爭優(yōu)勢。一方面是因為小型化、高性能、多用途產(chǎn)品的技術(shù)挑戰(zhàn)，另一方面是因為變幻莫測的市場競爭。他們努力地節(jié)約生產(chǎn)成本的每一分錢以及花在設計上的每一個小時。相比SoC，SiP設計在多個方面都提供了明顯的優(yōu)勢。  SiP獨特的優(yōu)勢  SiP的優(yōu)勢不僅在于尺寸方面，SiP能夠在更小的占用空間里提供更多的功能，并降低了開發(fā)成本和縮短了設計周
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SIP和SOC

  •  繆彩琴1，翁壽松2  (1．江蘇無錫機電高等職業(yè)技術(shù)學校，江蘇 無錫 214028；2．無錫市羅特電子有限公司，江蘇 無錫 214001)  摘 要：本文介紹了SIP和SOC的定義、優(yōu)缺點和相互關(guān)系。SIP是當前最先進的IC封裝，MCP和SCSP是實現(xiàn)SIP最有前途的方法。同時還介紹了MCP和SCSP的最新發(fā)展動態(tài)。 關(guān)鍵詞：系統(tǒng)級封裝，系統(tǒng)級芯片，多芯片封裝，疊層芯片尺寸封裝 中圖分類號：TN305.94文獻標識碼：A文章
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SiP封裝技術(shù)簡介

  • 電子工程的發(fā)展方向，是由一個「組件」（如IC）的開發(fā)，進入到集結(jié)「多個組件」（如多個IC組合成系統(tǒng)）的階段，再隨著產(chǎn)品效能與輕薄短小的需求帶動下，邁向「整合」的階段。在此發(fā)展方向的引導下，便形成了現(xiàn)今電子產(chǎn)業(yè)上相關(guān)的兩大主流：系統(tǒng)單芯片(System?on?Chip；SoC)與系統(tǒng)化封裝(System?in?a?Package；SiP)。 由發(fā)展的精神來看，SoC與SiP是極為相似的；兩者均希望將一個包含邏輯組件、內(nèi)存組件，甚至包含被動組件的「系統(tǒng)」，整合
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技術(shù)簡介介紹

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