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恒憶
恒憶 文章 進(jìn)入恒憶技術(shù)社區(qū)
恒憶Omneo系列相變存儲(chǔ)器耐寫(xiě)次數(shù)高達(dá)100萬(wàn)次
- 近日,恒憶(Numonyx)作為相變存儲(chǔ)技術(shù)(PCM)的創(chuàng)新者,宣布正式推出全新系列相變存儲(chǔ)器。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(chǔ)(PCM)的新一代存儲(chǔ)技術(shù),具有更高的寫(xiě)入性能、耐寫(xiě)次數(shù)和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易性,適用于固線和無(wú)線通信設(shè)備、消費(fèi)電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn),并向市場(chǎng)供貨。 這種新的嵌入式存儲(chǔ)器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)于一身,一顆存儲(chǔ)器芯片即可實(shí)現(xiàn)很多新功能。新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM,其寫(xiě)入速度有望達(dá)到現(xiàn)有閃存的300倍,耐寫(xiě)次
- 關(guān)鍵字: 恒憶 相變存儲(chǔ)器
非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
- 非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫(xiě)入速度極快的高密度存儲(chǔ)器,而代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪存速度更快。 經(jīng)過(guò)研究人員對(duì)浮柵存儲(chǔ)技術(shù)的堅(jiān)持不懈的研究,現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升,盡管如此,現(xiàn)在人們?cè)絹?lái)越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級(jí)到更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)的新式存儲(chǔ)器機(jī)制和材料。 目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲(chǔ)機(jī)制,相變存儲(chǔ)器(PC
- 關(guān)鍵字: 恒憶 NVM 存儲(chǔ)器 浮柵存儲(chǔ)
立足嵌入式應(yīng)用 恒憶尋求高利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)

- 走在下行周期上的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)碰上了30年代“大蕭條”后全球最慘烈的經(jīng)濟(jì)危機(jī),猶如雪上加霜。而作為整個(gè)行業(yè)晴雨表的存儲(chǔ)器更是早在去年就表現(xiàn)出了極大的疲軟態(tài)勢(shì)。英特爾和意法半導(dǎo)體剝離閃存事業(yè)部后,聯(lián)合成立的閃存公司恒憶(Numonyx)卻在今年4月掛牌營(yíng)運(yùn),在這樣一個(gè)人人自危的時(shí)候,作為全球最大的閃存公司,恒憶是如何看待閃存市場(chǎng)前景的? 恒憶(亞洲)副總裁兼總經(jīng)理 Rolf-Peter Seibl “存儲(chǔ)器市場(chǎng)的確在一些細(xì)分市場(chǎng)除了先樂(lè)周期性衰退,但是我們相信
- 關(guān)鍵字: 恒憶 閃存 200812
恒憶推出新系列NAND閃存
- 恒憶公司(Numonyx)針對(duì)無(wú)線通信、嵌入式設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)推出新系列NAND閃存產(chǎn)品。新系列產(chǎn)品包括32Gb(gigabits)的多級(jí)單元 (MLC) NAND閃存、32GB(gigabytes)的eMMC存儲(chǔ)芯片和高達(dá)8 GB的 microSD產(chǎn)品,全部采用先進(jìn)的41nm制造工藝。對(duì)于手機(jī)、便攜導(dǎo)航儀等消費(fèi)電子產(chǎn)品廠商,這些新產(chǎn)品將是一系列易于設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)器解決方案;對(duì)于消費(fèi)者,新產(chǎn)品將提供更大的存儲(chǔ)空間,他們可以在設(shè)備上保存相片、視頻和音樂(lè),使用流行的多媒體應(yīng)用程序。 從機(jī)頂盒到手機(jī),凡
- 關(guān)鍵字: 恒憶
恒憶與海力士擴(kuò)大合作 共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品

- 恒憶(Numonyx)今天宣布與海力士半導(dǎo)體公司達(dá)成為期五年的協(xié)議,在飛速增長(zhǎng)的NAND閃存領(lǐng)域擴(kuò)展聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃。針對(duì)NAND技術(shù)在未來(lái)五年面臨的挑戰(zhàn),兩家公司將擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來(lái)產(chǎn)品,進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。 根據(jù)新協(xié)議,恒憶和海力士將擴(kuò)大聯(lián)合開(kāi)發(fā)的范圍,共同提供領(lǐng)先的NAND存儲(chǔ)器技術(shù)和產(chǎn)品,并且整合資源以加快未來(lái)NAND技術(shù)及解決方案的開(kāi)發(fā)。在應(yīng)用于手機(jī)多芯片封裝的移動(dòng)DRAM領(lǐng)域,雙方也將進(jìn)行合作。 恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示:"未來(lái)五年,在
- 關(guān)鍵字: NAND 恒憶 海力士 閃存
恒憶推出低價(jià)低功耗DDR接口非揮發(fā)性RAM產(chǎn)品
- 恒憶 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列,此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 (LPDDR) 非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,不但可以給手機(jī)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品廠商提供更高的存儲(chǔ)性能,而且比目前其他解決方案價(jià)格更低。這些裝置在提供高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)內(nèi)容平臺(tái)低成本解決方案的同時(shí),還可達(dá)到比傳統(tǒng)NOR Flash存儲(chǔ)器快兩到三倍讀取頻寬的性能。恒憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出為該公司未來(lái)相變存儲(chǔ)器 (PCM) 產(chǎn)品提供了無(wú)縫的絕佳架構(gòu)途
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 恒憶 Numonyx RAM
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恒憶介紹
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