帶隙基準 文章 進入帶隙基準技術(shù)社區(qū)
一種基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準電壓源設(shè)計
- 摘要:設(shè)計了一種結(jié)構(gòu)簡單的基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準電壓源。以BrokaW帶隙基準電壓源結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)來進行設(shè)計。采用Cadence的Spectre仿真工具對電路進行了
- 關(guān)鍵字: 帶隙基準 LDO穩(wěn)壓器 溫度系數(shù) 電源抑制比 運算放大器
一種基于40nm CMOS工藝的新型溫度補償、高電源抑制比的帶隙基準源

- 基于TSMC40LP工藝設(shè)計了一種新穎的溫度補償、高電源抑制比的帶隙基準源。本設(shè)計采用全MOSFET設(shè)計,工作于1.1 V電源電壓,通過將MOSFET偏置在零溫度系數(shù)工作點,并結(jié)合溫度補償技術(shù)和有源衰減電路,實現(xiàn)在-40 ℃~125 ℃內(nèi)溫度變化系數(shù)為6.6 ppm/℃,低頻下電源抑制比為93 dB,高頻下電源抑制比為56 dB,與此同時,利用阻抗調(diào)試對環(huán)路穩(wěn)定性進行了補償。
- 關(guān)鍵字: 帶隙基準 全CMOS 低電源電壓 曲率補償 高電源抑制比 零溫系數(shù)點 201804
基于汽車環(huán)境的帶隙基準電壓源的設(shè)計
- 比較了傳統(tǒng)帶運算放大器的帶隙基準電壓源電路與采用曲率補償技術(shù)的改進電路,設(shè)計了一種適合汽車電子使用的帶隙基準電壓源,該設(shè)計電路基于上海貝嶺2μm 40 V bipolar工藝,采用一階曲率補償技術(shù),充分考慮了汽車空間有限、溫差大、噪聲多的環(huán)境特點。沒有使用運放,避免其復雜的結(jié)構(gòu)以及所引起的失調(diào),因此降低了電路成本并改善性能,設(shè)計中還引入了啟動電路,大大降低了附加功耗。用Cadence Spectre對電路仿真,結(jié)果表明,電路溫度特性好,抗干擾能力強,有較高的電源抑制比(PSRR),達到預(yù)期指標。
- 關(guān)鍵字: 汽車環(huán)境 帶隙基準 電壓源
一種帶有軟啟動的精密CMOS帶隙基準設(shè)計
- 0 引 言 帶隙基準是所有基準電壓中最受歡迎的一種,由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關(guān)的突出優(yōu)點,所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、A/D或D/A轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流,這就要求基準對電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。 本文結(jié)合工程實際的要求設(shè)計了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動的CMOS帶隙基準源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標準CMOS工藝模型庫進行仿真,HSPICE
- 關(guān)鍵字: 軟啟動 CMOS 帶隙基準 電源 模擬IC 電源
一種帶有軟啟動的精密CMOS帶隙基準設(shè)計
- 引 言 帶隙基準是所有基準電壓中最受歡迎的一種,由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關(guān)的突出優(yōu)點,所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、A/D或D/A轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流,這就要求基準對電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。 本文結(jié)合工程實際的要求設(shè)計了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動的CMOS帶隙基準源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標準CMOS工藝模型庫進行仿真,HSPICE的仿真結(jié)果表明該基
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 CMOS 帶隙基準 比較器 測量工具
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