基本半導體發(fā)布國內首款工業(yè)級碳化硅MOSFET

• 　　新年伊始，基本半導體正式發(fā)布國內首款擁有自主知識產權的工業(yè)級碳化硅MOSFET，該產品各項性能達到國際領先水平，其中短路耐受時間更是長達6μs。碳化硅MOSFET的發(fā)布，標志著基本半導體在第三代半導體研發(fā)領域取得重大進展，自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續(xù)領跑全國。　　近年來，基于硅(Si)、砷化鎵(GaAs)半導體材料的功率器件受材料性能所限，正接近物理極限，產業(yè)發(fā)展進入瓶頸期。而以碳化硅為代表的第三代半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高、電子飽和速率高等特點，更適合制作高溫、高頻、抗輻射
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