封裝文章進(jìn)入封裝技術(shù)社區(qū)

2003年8月，英特爾宣布在成都建立封裝和測(cè)試半導(dǎo)體產(chǎn)品的工廠

　　2003年8月，英特爾宣布在四川省成都市投資建立封裝和測(cè)試英特爾半導(dǎo)體產(chǎn)品的工廠。
關(guān)鍵字： Intel 封裝測(cè)試

飛兆半導(dǎo)體光隔離誤差放大器采用節(jié)省空間的SOIC封裝誤差范圍低至0.5%

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型FOD2742光隔離誤差放大器，其誤差范圍低至0.5%和尺寸小的性能特點(diǎn)，使該產(chǎn)品成為精密電源和轉(zhuǎn)換器設(shè)備的理想器件。FOD2742是飛兆光隔離誤差放大器系列的第四款產(chǎn)品，其它三款產(chǎn)品包括FOD2712、FOD2711和FOD2741，為設(shè)計(jì)人員提供了參考電壓、容差和封裝尺寸的不同選擇。元件編號(hào) VREF 最佳容差 VISO 封裝類型FOD2712 1.24V 1% 2.5kV SOICFOD2411 1.24V 1% 5.0kV
關(guān)鍵字：飛兆封裝

IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器性能

功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復(fù)二極管組合封裝，采用IR先進(jìn)的薄硅片工藝制造。新工藝可增強(qiáng)電及熱性能，有助降低傳導(dǎo)損耗，卻不增加開關(guān)損耗。全新IGBT是IR專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)的iMOTION集成設(shè)計(jì)平臺(tái)系列的一部分。新器件的工作結(jié)溫高達(dá)175°C，標(biāo)準(zhǔn)工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外，它們
關(guān)鍵字： IR 封裝

飛兆半導(dǎo)體全新8引腳邏輯器件封裝MicroPak™ 8體積比US8減小60%

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroPak 8 新型8引腳芯片級(jí)無引腳封裝，具備1、2和3位邏輯和開關(guān)功能。全新的TinyLogic
關(guān)鍵字：飛兆封裝

NS推出新型PBGA封裝單芯片

不久前，美國國家半導(dǎo)體公司(NS)宣布了采用塑膠球柵陣列(PBGA)封裝的GeodeTMSCx200解決方案。內(nèi)含有集成中央處理器；可執(zhí)行多路轉(zhuǎn)換操作的PCI/Sub-ISA接口；視頻輸入端口(VIP)；低腳數(shù)(LPC)接口/通用輸入輸出(GPIO);AC97/AMC97 2.0修訂版中頻；ACPI 1.0控制器；3個(gè)通用串行總線(USB)端口；ATA-33接口；輸入輸出；電壓輸入為3.3V，輸出為1.8V。典型功耗為1.8W(233MHz)及2.3W(300MHz), 423球型PBGA封裝后的體積僅為
關(guān)鍵字： NS 封裝

BGA封裝技術(shù)及其返修工藝

隨著電子產(chǎn)品向小型化、便攜化、網(wǎng)絡(luò)化和高性能方向發(fā)展，對(duì)電路組裝技術(shù)和I/O引線數(shù)提出了更高的要求，芯片體積越來越小，芯片引腳越來越多，給生產(chǎn)和返修帶來困難。原來SMT中廣泛使用的QFP（四邊扁平封裝），封裝間距的極限尺寸停留在0.3mm，這種間距引線容易彎曲、變形或折斷，相應(yīng)地對(duì)SMT組裝工藝、設(shè)備精度、焊接材料提出嚴(yán)格的要求，即使如此，組裝小間距細(xì)引線的QFP，缺陷率仍相當(dāng)高，最高可達(dá)6000ppm，使大范圍應(yīng)用受到制約。近年出現(xiàn)的BGA（Ball Grid Array 球柵陣列封裝器件），由于芯
關(guān)鍵字：封裝

安捷倫公司推出微型表面貼封裝GaAs射頻芯片、肖特基和PIN二極管(3.2)

　　為通信及生命科學(xué)領(lǐng)域提供創(chuàng)新技術(shù)的安捷倫科技公司（Agilent Technologies）, 推出采用超小表面封裝(MiniPak)的新型GaAs射頻芯片及單管、對(duì)管系列肖特基二極管和PIN二極管。該封裝高度僅為0.7毫米，面積為1.75平方毫米，具有寄生性小，高功耗熱傳導(dǎo)性高等特點(diǎn)。　　針對(duì)手機(jī)和ISM頻段的使用特點(diǎn)，超小封裝(MiniPak)的尺寸比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SC-70封裝小60%。MGA-725M4型GaAs 射頻芯片是一種帶旁路開關(guān)的高性能低噪聲放大器(LNA)。該型號(hào)分單管和對(duì)管兩種類型
關(guān)鍵字：安捷倫封裝

采用 LLP 封裝的 500 mA 低壓降穩(wěn)壓器(2.10)

美國國家半導(dǎo)體公司宣布推出一款功能齊備的500mA 低壓降(LDO)穩(wěn)壓器，為個(gè)人計(jì)算機(jī)及便攜式系統(tǒng)的中等電流量應(yīng)用方案提供所需的低噪音電壓轉(zhuǎn)換功能。這款型號(hào)為 LP2989 的高精度微功率穩(wěn)壓器采用大小如芯片、并無腳的框架封裝 (LLP)，其小巧體積務(wù)求能安放在便攜式產(chǎn)品微型設(shè)計(jì)的有限空間內(nèi)。LLP 封裝的大小只有 4.0 x 4.0 毫米 (mm)，厚度只有 0.8 毫米，管腳間距只有 0.8 毫米。按照 θ j-a 的測(cè)量結(jié)果，這款芯片的功率消耗低至只有 78℃/W。LP29
關(guān)鍵字： LLP 封裝封裝

1995年6月，上海阿法泰克電子公司在上海浦東成立

　　1995年6月，由中、泰、美三方合資的上海阿法泰克電子公司在上海浦東成立，這是國家重點(diǎn)工程“集成電路專項(xiàng)工程”的兩大關(guān)鍵項(xiàng)目之一，主要從事集成電路的封裝和測(cè)試。
關(guān)鍵字：集成電路封裝測(cè)試

1994年11月，英特爾位于上海的芯片測(cè)試和封裝工廠破土動(dòng)工

　　1994年11月，英特爾位于上海的芯片測(cè)試和封裝工廠破土動(dòng)工。
關(guān)鍵字： Intel 測(cè)試封裝

共1060條 71/71 |‹ « 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71

封裝介紹

程序　　封裝 (encapsulation) 　　隱藏對(duì)象的屬性和實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)，僅對(duì)外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級(jí)別. 　　封裝 (encapsulation) 　　封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合，形成一個(gè)有機(jī)的整體，也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進(jìn)行有機(jī)的結(jié)合，形成“類”，其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。　　封裝的目的是增強(qiáng)安全性和簡(jiǎn)化編程，使用者不必了解具體的 [ 查看詳細(xì) ]