EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
單晶襯底
單晶襯底 文章 進(jìn)入單晶襯底技術(shù)社區(qū)
Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底
- 美國(guó)Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底，尺寸為10 ′10 mm-2和18 ′18 mm-2,同時(shí)他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底，下一步是進(jìn)入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于0.02歐姆厘米，導(dǎo)電能力得到極大提高，電阻率比他們以前的n型氮化鎵襯底低兩個(gè)數(shù)量級(jí)。此外，Kyma也成功開(kāi)發(fā)了高摻雜n+型氮化鎵襯底晶片，n型載流子濃度達(dá)到了6′1018 cm-3，對(duì)應(yīng)電阻率僅為0.005歐姆厘米。
- 關(guān)鍵字： Kyma 單晶襯底
| 共1條 1/1 1 |
單晶襯底介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條單晶襯底!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)單晶襯底的理解，并與今后在此搜索單晶襯底的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)單晶襯底的理解，并與今后在此搜索單晶襯底的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473