半導體器件 文章 進入半導體器件技術社區(qū)
10月半導體器件專用設備制造業(yè)增加值同比增長33.9%
- 近日，國新辦就2023年10月份國民經(jīng)濟運行情況舉行發(fā)布會。會上，有記者提出“從高頻數(shù)據(jù)看，發(fā)現(xiàn)10月份部分高耗能產(chǎn)業(yè)的開工率同比增速有所下降，請問工業(yè)生產(chǎn)整體有哪些特點？原因有哪些？后續(xù)政策發(fā)力作用下，四季度整體形勢如何？”的問題。國家統(tǒng)計局新聞發(fā)言人、總經(jīng)濟師、國民經(jīng)濟綜合統(tǒng)計司司長劉愛華表示，10月份，隨著市場需求逐步恢復，新舊動能加快轉(zhuǎn)換，工業(yè)生產(chǎn)總體上呈現(xiàn)穩(wěn)中有升的態(tài)勢。10月份，規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增長4.6%，累計增長4.1%，當月和累計同比增速都比上期加快0.1個百分點。今年以來，累計增
- 關鍵字： 半導體器件 專用設備 制造
針對高壓應用優(yōu)化寬帶隙半導體器件
- 自從寬帶隙材料被引入各種制造技術以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導體器件就可以實現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術，可以使用特定的導通電阻來控制系統(tǒng)中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET，導通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設計的關鍵參數(shù)。電導率的主要行業(yè)標準是材料技術中的特定導通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。自從寬帶隙材料被引入各種制造技術以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導體器件就可以實現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術，可以使用特定的導通電阻來控制系統(tǒng)中的大部
- 關鍵字： 半導體器件
高可靠性人工突觸半導體器件問世
- 科技日報北京9月21日電 （記者張夢然）韓國科學技術研究院（KIST）神經(jīng)形態(tài)工程中心研究團隊宣布開發(fā)出一種能進行高度可靠神經(jīng)形態(tài)計算的人工突觸半導體器件，解決了神經(jīng)形態(tài)半導體器件憶阻器長期存在的模擬突觸特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日發(fā)表在《自然·通訊》雜志上。模仿人腦的神經(jīng)擬態(tài)計算系統(tǒng)技術應運而生，克服了現(xiàn)有馮諾依曼計算方法功耗過大的局限。實現(xiàn)使用大腦信息傳輸方法的半導體器件需要一種能表達各種突觸連接強度的高性能模擬人工突觸裝置。當神經(jīng)元產(chǎn)生尖峰信號時，這種方法使用神經(jīng)元之間傳輸?shù)男盘枴?/li>
- 關鍵字： 人工突觸 半導體器件
華為再投資半導體公司
- 工商信息顯示，華為旗下哈勃科技投資有限公司近日再新增一家對外投資——蘇州東微半導體有限公司（以下簡稱“東微半導體”）。東微半導體成立于2008年，注冊資本4578.22萬元，經(jīng)營范圍包括半導體器件、集成電路、芯片、半導體耗材、電子產(chǎn)品的設計、開發(fā)、銷售、進出口業(yè)務及相關技術咨詢和技術服務等，擁有多項功率半導體核心專利，核心產(chǎn)品為中低高壓功率器件。其官網(wǎng)顯示，2013年下半年，東微半導體原創(chuàng)的半浮柵器件的技術論文在美國《科學》期刊上發(fā)表，標志著首次國內(nèi)科學家在半導體核心技術方向獲得的重大突破。2016年東微
- 關鍵字： 華為，半導體器件
英國科學家發(fā)現(xiàn)砷化鎵存不穩(wěn)定性 或可為汽車等研發(fā)更好的電子產(chǎn)品
- 據(jù)外媒報道，英國卡迪夫大學（Cardiff University）的研究人員首次發(fā)現(xiàn)，一種普通半導體材料的表面具有以前從未被發(fā)現(xiàn)的“不穩(wěn)定性”。該發(fā)現(xiàn)可能對為日常生活提供能量的電子設備材料的未來發(fā)展產(chǎn)生深遠影響。從智能手機、GPS到衛(wèi)星和筆記本電腦，復合半導體是此類電子設備不可或缺的一部分。
- 關鍵字： 砷化鎵 電子產(chǎn)品 半導體器件
美國ITC對半導體器件啟動337調(diào)查，涉案企業(yè)包括OV、聯(lián)發(fā)科、高通和臺積電等
- 來自美國國際貿(mào)易委員會官網(wǎng)的消息稱，2019年3月21日，美國國際貿(mào)易委員會(ITC)投票決定對特定半導體器件、集成電路和包含該器件的消費產(chǎn)品啟動337調(diào)查(調(diào)查編碼：337-TA-1149)。值得一提的是，涉案的中國企業(yè)包括OPPO、vivo、一加、步步高、TCL、海信、聯(lián)發(fā)科和晨星等，同時美國高通和臺積電在美分公司也被列為被告之一?！ ?019年2月15日，美國Innovative Foundry Technologies LLC向美國ITC提出337立案調(diào)查申請，主張對美出口、在美進口和在美
- 關鍵字： 半導體器件 OPPO vivo
半導體器件及集成電路損壞的特點小結
- (1)二、三極管的損壞一般是PN結擊穿或開路。其中以擊穿短路居多。此外，還有兩種損壞表現(xiàn)一是熱穩(wěn)定性變差，表現(xiàn)為開機時正常、工作一段時間后。發(fā)生軟擊穿另一種是PN結的特性變差，用萬用表Rx1K測，各PN結均正常，但上機后不能正常工作如果用RX10或RX1低量程擋測就會發(fā)現(xiàn)其NN結正向阻值比正常值大。測量二、三極管可以用指針萬用表在路測量，較準確的方法是將萬用表置RX10或Rx1擋(一般用RX10擋，不明顯時再用Rx1擋〕在線測二、三極管的PN結正、反向電阻。如果正向電阻不太大《相對正常值〕反向電阻足夠
- 關鍵字： 半導體器件 集成電路
國產(chǎn)IGBT前景光明 突破之路曲折
- 隨著IGBT技術的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴展到消費電子應用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導體器件;而在中國市場，軌道交通、家電節(jié)能、風力發(fā)電、太陽能光伏和電力電子等應用更是引爆了IGBT應用市場。 據(jù)IHS iSuppli公司中國研究服務即將發(fā)表的一份報告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴格的能源政策，2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場銷售額的復合年度增長率將達13%。2011年IGBT銷售額將達到8.59億美元，2015年有望達到13億美
- 關鍵字： IGBT 半導體器件 太陽能
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