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存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)逐步向大陸轉(zhuǎn)移 這是彎道超車最佳時(shí)期？

  • 背景：2015年前三季度我國(guó)集成電路進(jìn)口額1629億美元，出口額473億美元，逆差1156億美元，較2014年同期進(jìn)一步擴(kuò)大。芯片自給率不足30%，高額利潤(rùn)被海外巨頭繼續(xù)壟斷，國(guó)產(chǎn)任重道遠(yuǎn)。
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工藝制程跑太快，芯片電源設(shè)計(jì)拖后腿？

  • 市場(chǎng)對(duì)設(shè)備秏電量的要求也越來越嚴(yán)格，電源問題已經(jīng)快速成為芯片設(shè)計(jì)時(shí)最棘手的問題之一。
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Xilinx新小封裝FPGA降低50%成本

  • 　　2008年1月15日，中國(guó)北京-全球領(lǐng)先的可編程邏輯器件(PLD)供應(yīng)商賽靈思公司(Xilinx,?Inc.?(NASDAQ:?XLNX))宣布推出其最新的90nm低成本Spartan?-3A?FPGA器件。針對(duì)數(shù)字顯示、機(jī)頂盒以及無線路由器等應(yīng)用而優(yōu)化的這些小封裝器件滿足了業(yè)界對(duì)更小器件封裝尺寸的需求，為成本極為敏感的消費(fèi)電子設(shè)計(jì)提供將更好的支持?！　partan-3系列平臺(tái):低成本消費(fèi)應(yīng)用的首選　　賽靈思在大批量消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域所取得的成功很大程度上依賴于其S
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先進(jìn)制程競(jìng)賽Xilinx首重整合價(jià)值

  • 　　由于ASIC的研發(fā)成本居高不下，加上近來FPGA不斷整合更多的功能，同時(shí)也突破了過往功耗過高的問題，尤其當(dāng)進(jìn)入28奈米制程之后，其性價(jià)比開始逼近ASSP與ASIC，促使FPGA開始取代部分ASIC市場(chǎng)，應(yīng)用范圍也逐步擴(kuò)張。 　　掌握這樣的趨勢(shì)，讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產(chǎn)品營(yíng)收持續(xù)成長(zhǎng)。Xilinx企業(yè)策略與行銷資深副總裁SteveGlaser指出，預(yù)估今年在28奈米產(chǎn)品線將會(huì)有1億美元的營(yíng)收，市占率高達(dá)61%，而2014年更將大幅成長(zhǎng)，目標(biāo)將成長(zhǎng)至2億5千萬營(yíng)收表現(xiàn)，市占率也將成長(zhǎng)
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c制程漸成熟 有助3C產(chǎn)品微縮設(shè)計(jì)

  • 　　行動(dòng)運(yùn)算產(chǎn)品市場(chǎng)持續(xù)朝產(chǎn)品薄化方向設(shè)計(jì)，目前相關(guān)設(shè)計(jì)多使用整合晶片減少元件用量，對(duì)于異質(zhì)核心的封裝整合，若仍使用舊有的封裝技術(shù)將會(huì)造成成品元件仍具一定程度占位面積，必須利用堆疊與更復(fù)雜的3DIC技術(shù)進(jìn)行元件整合的積極微縮設(shè)計(jì)… 　　矽晶片的制程技術(shù)，一直是推進(jìn)行動(dòng)終端產(chǎn)品躍進(jìn)式升級(jí)、改善的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，以往透過SoC(systemonachip)將不同用途的異質(zhì)核心進(jìn)行整合，目前已經(jīng)產(chǎn)生簡(jiǎn)化料件、縮減關(guān)鍵元件占位面積的目的，但隨著使用者對(duì)于行動(dòng)裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來越高，
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臺(tái)積電新制程 攻行動(dòng)穿戴

  • 　　就在市場(chǎng)普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競(jìng)爭(zhēng)之際，晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級(jí)為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能，原因就是持續(xù)看好行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能，包括嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)、CMOS影像傳感器、指紋辨識(shí)元件、微機(jī)電及光感測(cè)元件等，都是臺(tái)積電未來2～3年的布局重點(diǎn)。 　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在上周法說會(huì)中，特別提及特殊技術(shù)重要性，因?yàn)樾袆?dòng)裝置及智能穿戴裝置的ARM架構(gòu)核心處理器芯片，會(huì)大量用到28納米以下先進(jìn)制程，但其它的類比或感測(cè)芯片同樣重要，而這些芯片雖不需應(yīng)用
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ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸

  • 　　自從ARM決定從行動(dòng)裝置跨足到伺服器市場(chǎng)后，無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺(tái)積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對(duì)ARM來說，去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問題必須克服。 　　日前ARM已正式對(duì)外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營(yíng)收同樣繼續(xù)維持成長(zhǎng)，主要營(yíng)收的大多比重皆是來自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來都
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LED藍(lán)寶石基板與芯片背部減薄制程

  • 在LED制程中，藍(lán)寶石基板雖然受到來自Si與GaN基板的挑戰(zhàn)，但是考慮到成本與良率，藍(lán)寶石在近兩年內(nèi)仍然具有優(yōu)勢(shì)，可以預(yù)見接下來藍(lán)寶石基板的發(fā)展方向是大尺寸與圖案化(PSS)。由于藍(lán)寶石硬度僅次于鉆石，因此對(duì)它進(jìn)行
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左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

  • 　　繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)展新一代Mali繪圖處理器(GPU)核心。
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中芯國(guó)際：2013年中28nm工藝基本完成

  • ?????????? 問:作為中國(guó)本土的旗艦型制造企業(yè)，您認(rèn)為中國(guó)制造型企業(yè)，應(yīng)該如何用創(chuàng)新去應(yīng)對(duì)調(diào)整？如何走特色發(fā)展的道路？ ? 答：首先從工藝方面來看，這15年是非常特殊的時(shí)期，發(fā)展速度很快。我記得我們?cè)谧?0nm的時(shí)候，我們就有一種想法，覺得做到40、45nm的時(shí)候就差不多了，不過后來又發(fā)現(xiàn)還在演進(jìn)。所以我相信，尤其我們年輕一代，用創(chuàng)新精神會(huì)繼續(xù)往下做。 ??
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LED晶圓(外延)的生長(zhǎng)制程

  • 今天來探討LED晶圓的生長(zhǎng)制程，早期在小積體電路時(shí)代，每一個(gè)6英寸的晶圓上制作數(shù)以千計(jì)的晶粒，現(xiàn)在次微米線寬的...
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臺(tái)積電2009年-十月營(yíng)收?qǐng)?bào)告

  • 　　臺(tái)積電公司今(10)日公布2009年十月營(yíng)收?qǐng)?bào)告，就非合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，營(yíng)收約為新臺(tái)幣291億8,100萬元，較今年九月增加了4.1%，較去年同期增加了2.9%。累計(jì)2009年一至十月營(yíng)收約為新臺(tái)幣2,259億2,700萬元，較去年同期減少了21.9%。 　　就合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，2009年十月營(yíng)收約為新臺(tái)幣302億1,900萬元，較今年九月增加了4.4%，較去年同期增加了2.5%。累計(jì)2009年一至十月營(yíng)收約為新臺(tái)幣2,338億6,600萬元，較去年同期減少了21.5%。 　　臺(tái)積電營(yíng)收?qǐng)?bào)告(非合
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臺(tái)積電40nm制程仍存良率不足問題

  • 　　據(jù)業(yè)界分析，臺(tái)積電的40nm制程目前仍然存在著良率不足的問題。今年早些時(shí)候，臺(tái)積電曾公開承認(rèn)此問題，但后來他們宣稱已解決先前大部分良率問題。不過，根據(jù)本周四Nvidia公司舉辦的一次會(huì)議的內(nèi)容，我們可以看出Nvidia公司內(nèi)部對(duì)臺(tái)積電的40nm產(chǎn)能及良率方面仍然存在較大的擔(dān)憂。而另外一 家廠商AMD也是深受其害。 　　不過并非所有廠商的情況均是如此，比如Altera公司便表示其委托臺(tái)積電代工的40nm FPGA產(chǎn)品“良率數(shù)據(jù)良好。” 　　相比之下，Nvidia則對(duì)臺(tái)積電的4
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代工產(chǎn)業(yè)醞釀巨變 整合將使第一階陣營(yíng)縮小

  • 　　市場(chǎng)研究公司iSuppli指出，IC市場(chǎng)低迷很可能縮小第一階純代工廠商陣營(yíng)，未來第一階代工廠商的數(shù)量可能減少至3家。 　　“2009年是代工廠商希望趕緊過去的一年。”iSuppli分析師Len Jelinek在一份聲明中表示，“然而，明年很可能出現(xiàn)新的挑戰(zhàn)，競(jìng)爭(zhēng)成本的增長(zhǎng)將使玩家數(shù)量減少。” 　　2009年全球純代工廠商收入預(yù)計(jì)為178億美元，減少10.9%，明年將增長(zhǎng)21%至216億美元。 　　“開發(fā)實(shí)現(xiàn)下一代制程的成本迅速增長(zhǎng)。想在
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臺(tái)積電為提升45納米以下制程產(chǎn)能進(jìn)行采購

  • 　　臺(tái)積電近日表示，雖然尚未公布今年的資本支出計(jì)劃，但仍將持續(xù)進(jìn)行設(shè)備采購，并以提升45、40納米的先進(jìn)制程產(chǎn)能為主。 　　臺(tái)積電本周連續(xù)公告自AMAT等廠商購入設(shè)備，金額累計(jì)達(dá)54.8億臺(tái)幣。據(jù)悉，第二季臺(tái)積電投資設(shè)備金額將超過100億臺(tái)幣。對(duì)此，臺(tái)積電代理發(fā)言人曾晉皓對(duì)表示，“設(shè)備采購基本上以45、40納米的先進(jìn)制程為主，我們?cè)谶@方面較缺乏，至于投入多少要以市場(chǎng)需要而定。”他并指出，公司今年資本支出還沒決定，但還沒決定不代表不買設(shè)備。 　　雖然臺(tái)積電未說明在45、40納米先
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