全環(huán)繞柵場效應(yīng)晶體管 文章 進入全環(huán)繞柵場效應(yīng)晶體管技術(shù)社區(qū)
北大 "鉍基芯片" 橫空出世：硅時代，再見！
- 北京大學(xué)正大步邁入后硅時代與埃米級（?ngstr?m）半導(dǎo)體領(lǐng)域。該校研究團隊近日在《自然》雜志發(fā)表論文，宣布成功研制全球首顆二維低功耗全環(huán)繞柵場效應(yīng)晶體管（GAAFET），這項由彭海林教授、邱晨光教授領(lǐng)銜的跨學(xué)科成果，被團隊成員稱為 "里程碑式突破"。 彭海琳團隊合影（右一為彭海琳）技術(shù)核心：從 "硅基捷徑" 到 "二維換道"北大團隊制備出論文所述的 "晶圓級多層堆疊單晶二維全環(huán)繞柵結(jié)構(gòu)"。何為二維環(huán)柵晶體管？顧名
- 關(guān)鍵字： 北京大學(xué) GAAFET 全環(huán)繞柵場效應(yīng)晶體管 芯片設(shè)計
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全環(huán)繞柵場效應(yīng)晶體管介紹
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