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互補金屬氧化物半導體 文章 進入互補金屬氧化物半導體技術(shù)社區(qū)

相變存儲器驅(qū)動電路的設計與實現(xiàn)

  • 介紹了一種新型的相變存儲器驅(qū)動電路的基本原理，設計了一種依靠電流驅(qū)動的驅(qū)動電路，整體電路由帶隙基準電壓源電路、偏置電流產(chǎn)生電路、電流鏡電路及控制電路組成。該結(jié)構(gòu)用于16 Kb以及1 Mb容量的相變存儲器芯片的設計，并采用中芯國際集成電路制造(上海) 有限公司的0118μm標準CMOS 工藝實現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： 相變存儲器  PCM  電流驅(qū)動  基準電壓  偏置電流  電流鏡  互補金屬氧化物半導體  
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互補金屬氧化物半導體介紹

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