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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?氮化鎵

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

  • 作為提供不間斷連接的關鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術,通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導體材料,越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心,這些應用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負責人 David Snook 表示:“氮化鎵是提高功率密
  • 關鍵字: 氮化鎵  GaN  電源管理  

EV消除12V電池成趨勢 PI用技術引領市場

  • 家用汽車早已邁入電氣時代,現(xiàn)如今汽車上的電器設備越來越多,汽車電源系統(tǒng)除了給發(fā)動機啟動電機、燈光、電動助力轉(zhuǎn)向等部件供電用電之外,還要滿足如多媒體影音系統(tǒng)、倒車雷達、手機充電、行車記錄儀、GPS導航儀等設備的用電要求。汽車電源系統(tǒng)一般是由發(fā)電機和蓄電池共同組成。早在汽車發(fā)展初期,電氣系統(tǒng)并未引入汽車產(chǎn)品,隨后因起動機的應用普及,汽車開始裝備了蓄電池,當時的電壓標準是6V。由于各類汽車電氣化設備得到大量應用6V系統(tǒng)所能提供的功率太低,無法滿足更多的“用電需求”,車載標準電壓就從6V提升到了12V。12V電壓
  • 關鍵字: PI  工業(yè)  新能源汽車  氮化鎵  功率開關  

Power Integrations推出900V氮化鎵反激式開關IC

從消費到汽車/工業(yè)等領域,氮化鎵進一步撬動市場

  • 前10年一直在消費電子領域沖浪的氮化鎵(GaN)技術不斷創(chuàng)新發(fā)展,近兩年來逐漸在汽車、數(shù)據(jù)通信以及其他工業(yè)應用等行業(yè)嶄露頭角。氮化鎵應用不斷擴充消費領域一直是原始設備制造商(OEM)采用GaN的主要驅(qū)動力,其中電力設備市場為主流市場,快速充電器為主要應用,此外還包括一些音頻設備等。借助GaN,智能手機制造商可以制造尺寸更小且性價比更高的充電器。目前市場上大多數(shù)基于GaN的充電器都在65W左右或以下,業(yè)界表示這是性價比的“最佳點”。但是,隨著市場對于更高功率的需求,智能手機快速充電器的目標功率高于75的新趨
  • 關鍵字: 汽車  工業(yè)  氮化鎵  

氮化鎵柵極驅(qū)動專利:RC負偏壓關斷技術之松下篇

  • 松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件,兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅(qū)動IC,如上期所介紹的,英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利;而松下在這一技術方向下也是申請了不少專利,其中就包括采用RC電路的負壓關斷方案。松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件,兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅(qū)動IC,如上期所介紹的,英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利;而松下在這一技術方向下也是申請了不
  • 關鍵字: 氮化鎵  松下  

Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務,擴大氮化鎵應用實驗室

  • Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務,擴大氮化鎵應用實驗室大中華區(qū)新增辦事處提升服務亞太區(qū)域電力電子客戶的能力 加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. 宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(yè)(WFOE),Transphorm的深圳辦事處將負責加強當?shù)乜蛻糁С?、銷售和市場營銷工作,另外,該辦事處將作為當?shù)刂С挚蛻糸_發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應用實驗室,并同時支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm
  • 關鍵字: Transphorm  氮化鎵  

Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務, 擴大氮化鎵應用實驗室

  • 加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(yè)(WFOE),Transphorm的深圳辦事處將負責加強當?shù)乜蛻糁С?、銷售和市場營銷工作,另外,該辦事處將作為當?shù)刂С挚蛻糸_發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應用實驗室,并同時支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm現(xiàn)任亞洲銷售副總裁Kenny Yim管理,他同時也擔任中國區(qū)總經(jīng)理一職。Trans
  • 關鍵字: Transphorm  氮化鎵  

好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動器比翼雙飛,助力氮化鎵先進應用

  • 未來已來,氮化鎵的社會經(jīng)濟價值加速到來。 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配合,隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護,完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進應用中高效率低損耗的核心價值,讓工程師放心無憂采用氮化鎵。 普通消費者了解并接受氮化鎵,是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關特性,可以高頻工作,實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率,氮化鎵PD快充成功實現(xiàn)了小型化和輕量化,消費者易于攜帶,用戶體驗大幅度提升。在過去
  • 關鍵字: 氮化鎵  納芯微  隔離驅(qū)動器  

PI相約德國慕尼黑電子展 推出新款可編程小型電源IC

  •       德國時間2022年11月15日,Power Integrations亮相德國慕尼黑電子展,并推出了新款可編程、小巧及高效的零電壓開關電源IC——InnoSwitch4-Pro產(chǎn)品系列。了解PI產(chǎn)品的讀者肯定會記得,在上一代系列產(chǎn)品InnoSwitch3-Pro中,輸出功率為65W,適用于包括USB功率傳輸(PD)3.0 + PPS、Quick Charge? 4/4+、AFC、VOOC、SCP、FCP,以及其他工業(yè)和消費類電池充電器、可調(diào)光LED鎮(zhèn)流器驅(qū)
  • 關鍵字: 德國慕尼黑電子展  開關電源IC  氮化鎵  InnoSwitch4-Pro  

SEMICON China | 探討熱點與前沿技術 ,功率及化合物半導體論壇2022圓滿舉辦

  • 11月1-2日,SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈領先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括:開幕演講,化合物半導體與光電及通訊,寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示:“在大家的支持下,功率及化合物半導體國際論壇從2016年開始首辦,今年已經(jīng)是第七屆。在嚴格遵守防疫規(guī)定的前提下,希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經(jīng)歷風雨,怎么能
  • 關鍵字: 碳化硅  氮化鎵  InP  

EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件,讓高功率密度應用實現(xiàn)靈活設計

  • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET,讓高功率密度應用實現(xiàn)更高的性能和更小的解決方案,包括DC/DC轉(zhuǎn)換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器,以及電機驅(qū)動器。?EPC 是增強型氮化鎵(eGaN?)功率FET和 IC 領域的全球領導者,新推采用更耐熱的QFN封裝且可立即發(fā)貨的150 V EPC2308氮化鎵器件,用于電動工具和機器人的電機驅(qū)動器、用于工業(yè)應用的80 V/100 V高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器、用于充電器、適配器和電源供
  • 關鍵字: EPC  氮化鎵  高功率密度  

能華推出高可靠性65W氮化鎵筆電適配器方案

  •   前言  最近充電頭網(wǎng)拿到了一款基于能華CE65H160TOAI氮化鎵功率器件的65W筆電適配器方案樣品,該方案是為配合工信部國產(chǎn)替代政策而設計?! ≡摲桨覆捎媚贪咨耐鈿ぃ叫?,給人簡約時尚感覺;其內(nèi)部采用卡扣散熱設計方案,裝配緊湊牢固、安裝方式簡單,免除其它散熱方案所需要的生產(chǎn)夾具,降低生產(chǎn)成本,利于規(guī)?;纳a(chǎn)制造;再加上能華的低熱阻封裝TO-220的CoreGaN產(chǎn)品,使得系統(tǒng)的熱可靠性大為提高,已經(jīng)通過了環(huán)溫40°下的嚴苛可靠性測試。下面就隨小編來詳細了解該方案?! ∧苋A65W快充外觀  能華
  • 關鍵字: 拆解  筆電  充電器  氮化鎵  

友尚新推采用安森美NCP1345搭配氮化鎵系統(tǒng)的65瓦PD電源方案_大幅精簡線路與提高功率密度

  • NCP1345是次世代高度集成的準共振Flyback, 適用于設計高性能電源轉(zhuǎn)換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉(zhuǎn)換器, 包括雙 VCC 架構(gòu), 允許直接連接到輔助繞組, 以進行簡化 VCC 管理零件計數(shù)減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側(cè)的輸出限制電路,以確保恒定輸出電流限制,無論設計輸出電壓或輸出功率如何。準共振 (QR)專有波谷鎖定電路,以確保穩(wěn)定的波谷切換,當下降到第6
  • 關鍵字: onsemi  電源轉(zhuǎn)換  NCP1345  氮化鎵  

世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源

  • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz,工作頻率再往上升,將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大;再者Qg的大小也會影響關斷速度,而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體,雖然它們比硅更難制造及更昂貴,但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性,使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似,可以幫助下一個產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
  • 關鍵字: GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  

除了氮化鎵,快充技術還須關注哪些領域?

  • 硅材料制作的功率器件,也被稱為第一代半導體,而砷化鎵(GaAs)等材料制作的功率器件,則被成為第二代半導體,第二代半導體在高頻性能上優(yōu)于硅器件,通常用于射頻應用。氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)器件也被成為第三代半導體,其禁帶寬度約是硅器件的3倍,擊穿場強約是硅器件的10倍,因而具有更高的耐壓能力以及更低的導通壓降,轉(zhuǎn)換效率高,也更適應高溫工作環(huán)境。與硅材料和SiC相比,GaN材料電子飽和漂移速率更高,適合高頻率應用場景,因而在電力電子應用中,GaN器件可以在MHz以上頻率工作,大大減小了對外圍電路中電
  • 關鍵字: 貿(mào)澤電子  快充技術  氮化鎵  
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?氮化鎵介紹

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