本電路采用MCP6042低電壓、低功耗雙運(yùn)算放大期。要使電壓對(duì)應(yīng)單片機(jī)A/D轉(zhuǎn)換器模擬輸入端0到3V的電壓范圍，需要放大200倍。電阻R2、R3、R7和R9用于設(shè)置放大倍數(shù)。輸入電阻應(yīng)是橋路電阻的4-10倍。選擇1KHz帶寬，則電容C1為150P，防止EMI/RFI干擾。經(jīng)放大的模擬電壓送單片機(jī)的A/D轉(zhuǎn)換器，其中Y-OUT表示磁場(chǎng)的測(cè)量方向Y分量，X-OUT表示磁場(chǎng)的X分量。

　　便攜式磁記憶檢測(cè)儀在電源電壓和功耗上要求苛刻，為了降低功耗，采用以下措施：

　　·所有集成電路都選擇低工作電壓和低功耗芯片。

　　·盡量減少使用外圍元器件，PIC16LF873A外圍功能強(qiáng)大，比其他系列單片機(jī)使用的元件少。

　　·低工作電壓、低振蕩時(shí)鐘(采用4MHz)。

　　·采用低功耗LCD顯示器，電源由單片機(jī)提供，需要顯示時(shí)才供電。

　　·信號(hào)通道單獨(dú)供電，需要測(cè)量時(shí)再供電。

　　·采用單片機(jī)“睡眠”功能，不測(cè)量時(shí)處于睡眠狀態(tài)。所有輸入引腳保證有確定電平，輸出引腳以不向外圍電路提供電流為準(zhǔn)則。

　　·關(guān)閉RB口中斷“弱上拉電阻”，有按鍵時(shí)高電平中斷。

　　實(shí)驗(yàn)證明，采用以上設(shè)計(jì)方式，電池電壓為3.6V時(shí)，便攜式磁記憶檢測(cè)儀的靜態(tài)功耗小于85μA。