ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多電平單元NOR閃存
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為滿足移動應用市場對高分辨相機、多媒體內(nèi)容和快速聯(lián)網(wǎng)的需求,新的65nm PR系列閃存的突發(fā)讀取速度達到133MHz,編程速度達到1.0-MB/s,支持深關(guān)斷睡眠模式,采用1.8V電源電壓。這個先進的NOR閃存系列產(chǎn)品與LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND存儲器芯片以共享總線或分用總線的配置組裝在一起,以多片封閉(MCP)和層疊封裝(PoP)解決方案的形式提供給廣大用戶。
“通過進軍65nm蝕刻工藝,意法半導體提供了一個極具競爭力的解決方案,為OEM融入設(shè)計高密度NOR閃存解決方案增加了一個新的選擇,”Semiconductor Insights公司存儲器產(chǎn)品首席分析師Geoff MacGillivray表示,“與主要競爭產(chǎn)品相比,裸片尺寸50.8mm²的ST 1-Gbit MLC NOR閃存是市場上最小
的閃存芯片,創(chuàng)造了20.16-Mbit/mm²的最高Mbit/mm²存儲密度。單元尺寸也非常小,僅為0.042µm²?!?
“1000兆位單片存儲器采用65nm多電平單元制造技術(shù),有助于提高系統(tǒng)性能,增強最終用戶的使用體驗,”意法半導體無線NOR閃存產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Marco Dallabora表示,“512兆位的65nm NOR閃存芯片是簡易的ST 90nm PR系列升級解決方案,目前該芯片已集成到現(xiàn)有的高性能平臺內(nèi)?!?nbsp;
65nm PR系列是意法半導體與英特爾于2005年12月宣布的合作計劃的一部分,這項目前還在進行的合作計劃的目的是為客戶提供最新的高性能產(chǎn)品,并提供多貨源的采購靈活性。
新產(chǎn)品樣片現(xiàn)已上市,擬定于2007年上半年開始量產(chǎn),256-Mbit、512-Mbit和1-Gbit閃存與PSRAM、LPSDRAM和NAND存儲器芯片的堆疊封裝產(chǎn)品的預算價格估計在10美元到30美元之間。
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