E波段和F波段波導H面T型縫隙耦合器
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5 耦合器實物樣品制作
實際腔體加工時把耦合體部分和蓋板分開加工，最后裝配組合而成，如圖5所示。在毫米波段，腔體內(nèi)表面的粗糙不平會引起很大的衰減，因此加工時內(nèi)表面光潔度一般要求優(yōu)于▽12，實際制作時在腔體內(nèi)表面鍍金。為了保證腔體不變形，要選擇合理的工藝方案，并盡可能提高加工精度。
圖5 耦合器實物樣品
6 結論
在傳統(tǒng)H面T型耦合器的基礎上，采用了耦合槽縫緊靠波導寬面的非對稱結構，應用HFSS軟件分別進行了E和F波段耦合器的仿真分析和設計，并制作了實物樣品。仿真得到的E波段耦合器在72-78 GHz 內(nèi)耦合度18dB，輸入端反射系數(shù)-23dB，平坦度為±0.5dB；F波段耦合器在106-114 GHz內(nèi)耦合度13dB，輸入端反射系數(shù)-17dB；平坦度為±0.5dB。
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