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一種用DGS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)雙帶隙的設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2014-07-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/259338.htm

圖3(b) 諧振頻率隨g的變化

圖3(c) 中心頻率隨b的變化

以上分析了DGS單元的各個(gè)參數(shù)的變化對(duì)諧振頻率的影響,因而通過改變結(jié)構(gòu)單元的物理尺寸可以很方便的控制其等效電感和等效電容。用文獻(xiàn)給出的方法提取了圖2的等效電路參數(shù)并通過電路仿真和電磁仿真分析兩者吻合良好,如圖4所示。因此所得出的等效電路參數(shù)可以直接用于實(shí)際電路的分析。

圖4 電磁仿真和電路仿真對(duì)比

3 改進(jìn)的DGS周期結(jié)構(gòu)

DGS單元結(jié)構(gòu)雖然可以形成帶隙,但是阻帶帶寬較窄且?guī)渡疃容^小,為了提高帶寬本文通過將N個(gè)DGS單元以周期間距d級(jí)聯(lián)(如圖5所示),在取DGS單元尺寸為a=2.5mm,b=w=1.46mm,g=0.2mm的情況下討論了周期間距d以及單元數(shù)N對(duì)帶隙深度和帶寬的影響。以五個(gè)單元為例分析了單元間距d對(duì)帶隙的影響,仿真分析表明僅當(dāng)d=5mm時(shí)才能產(chǎn)生良好的單帶隙特性且?guī)捄蜕疃让黠@增加如圖6所示。表4為d=5mm時(shí)N取不同值帶隙的中心頻率,最大帶隙深度和-20db帶寬的變化。


圖5 DGS單元級(jí)聯(lián)示意圖

圖6 d=5mm時(shí)S參數(shù)仿真結(jié)果

由表1可看出當(dāng)單元數(shù)N增加時(shí)中心頻率變化很小,最大帶隙深度和-20db帶寬均隨著單元數(shù)的增加而增加且增加的幅度都越來越慢,因此N主要影響帶隙深度和帶寬。由圖6可見當(dāng)N=5時(shí)就能得到很好的帶隙,繼續(xù)增加單元數(shù)時(shí)帶隙深度和寬度變化微弱隙特性沒有明顯的改善且會(huì)造成尺寸變大,制造成本增加。

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