圖3(b) 諧振頻率隨g的變化

圖3(c) 中心頻率隨b的變化

以上分析了DGS單元的各個(gè)參數(shù)的變化對(duì)諧振頻率的影響，因而通過改變結(jié)構(gòu)單元的物理尺寸可以很方便的控制其等效電感和等效電容。用文獻(xiàn)給出的方法提取了圖2的等效電路參數(shù)并通過電路仿真和電磁仿真分析兩者吻合良好，如圖4所示。因此所得出的DGS結(jié)構(gòu)等效電路參數(shù)可以直接用于實(shí)際電路的分析。

圖4 電磁仿真和電路仿真對(duì)比

3 改進(jìn)的DGS周期結(jié)構(gòu)

DGS單元結(jié)構(gòu)雖然可以形成帶隙，但是阻帶帶寬較窄且?guī)渡疃容^小，為了提高帶寬本文通過將N個(gè)DGS單元以周期間距d級(jí)聯(lián)（如圖5所示），在取DGS單元尺寸為a=2.5mm,b=w=1.46mm,g=0.2mm的情況下討論了周期間距d以及單元數(shù)N對(duì)帶隙深度和帶寬的影響。以五個(gè)單元為例分析了單元間距d對(duì)帶隙的影響，仿真分析表明僅當(dāng)d=5mm時(shí)才能產(chǎn)生良好的單帶隙特性且?guī)捄蜕疃让黠@增加如圖6所示。表4為d=5mm時(shí)N取不同值帶隙的中心頻率，最大帶隙深度和-20db帶寬的變化。

圖5 DGS單元級(jí)聯(lián)示意圖

圖6 d=5mm時(shí)S參數(shù)仿真結(jié)果

由表1可看出當(dāng)單元數(shù)N增加時(shí)中心頻率變化很小,最大帶隙深度和-20db帶寬均隨著單元數(shù)的增加而增加且增加的幅度都越來越慢，因此N主要影響帶隙深度和帶寬。由圖6可見當(dāng)N＝5時(shí)就能得到很好的帶隙，繼續(xù)增加單元數(shù)時(shí)帶隙深度和寬度變化微弱隙特性沒有明顯的改善且會(huì)造成尺寸變大，制造成本增加。