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高頻開(kāi)關(guān)用變壓器耦合驅(qū)動(dòng)

作者: 時(shí)間:2012-09-27 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  1)進(jìn)行電氣隔離

  當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路的浮地電位與被驅(qū)動(dòng)的開(kāi)關(guān)管源極電位不同時(shí),應(yīng)該采用電位隔離的方式驅(qū)動(dòng),其方法之一是用耦合隔離驅(qū)動(dòng),這樣可以傳輸足夠大的驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)電流。

  2)電路

  采用耦合的驅(qū)動(dòng)電路如圖1所示。圖中V1和V2為控制集成芯片的輸出級(jí),V3為加人的功率放大級(jí)以驅(qū)動(dòng)的初級(jí)。變壓器的初、次級(jí)對(duì)應(yīng)端用“·”表示。

 ?。?)上升沿:驅(qū)動(dòng)脈沖電壓前沿V3導(dǎo)通,帶“·”的A端為正,變壓器次級(jí)繞組的電壓us為正,“·”端的輸出電流經(jīng)D1、D2、R4,對(duì)V5功率MOSFET管的柵一源極之間的電容充電,迅速建立起驅(qū)動(dòng)電壓。

采用變壓器耦合的驅(qū)動(dòng)電路圖



   圖1采用變壓器耦合的驅(qū)動(dòng)電路

 ?。?)下降沿:V3截止時(shí),“·”端a為負(fù),經(jīng)過(guò)R2產(chǎn)生V4基極電流,經(jīng)V4放大后有足夠的集電極電流使V5的柵一源極之間電容CGS迅速放電。



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