因此，我們改變了片式鐵氧體磁珠的配置。具體而言，②將安裝于X電容外側(cè)的磁珠移動到了X電容內(nèi)側(cè)。由此進(jìn)一步降低了輻射噪聲，這次降到了規(guī)定值以下。也就是說，抑制輻射噪聲的效果因X電容和片式鐵氧體磁珠的位置不同而有所不同。

　　最佳配置因燈泡而異

　　抑制輻射噪聲的最佳元件配置因LED燈泡而異。在其他LED燈泡中，盡管采取了獲得出色結(jié)果的圖11的②那樣的配置，即在X電容內(nèi)側(cè)配置片式鐵氧體磁珠，但并未獲得同樣出色的效果。所以又將片式鐵氧體磁珠安裝到X電容外側(cè)，此時，輻射噪聲降到了規(guī)定值以下（圖12）。也就是說，對于每一個LED燈泡而言，即便使用相同的噪聲對策元件，其效果也是不同的。

圖12：根據(jù)LED燈泡改變元件配置

　　不同的LED燈泡，抑制輻射噪聲的最佳元件配置不盡相同。例如，必須調(diào)整X電容和片式鐵氧體磁珠的位置關(guān)系。

　　所以，必須根據(jù)噪聲對策元件與其他元件的位置關(guān)系以及LED燈泡的性能參數(shù)，來改變噪聲對策元件的選擇和安裝位置等。在開發(fā)現(xiàn)場需要反復(fù)確認(rèn)噪聲對策元件的效果，然后根據(jù)確認(rèn)結(jié)果改變元件的種類和配置。因此，為提高元件配置自由度，提前考慮圖案設(shè)計也是減輕EMC對策負(fù)荷的方法。

　　此次連同EMC的基本內(nèi)容一起，介紹了照明器具的傳導(dǎo)噪聲和輻射噪聲的對策。文中介紹的方法只是一部分。今后，為實(shí)現(xiàn)更出色的電磁噪聲對策，我們將繼續(xù)進(jìn)行各種對策元件的開發(fā)以及對策方法的提案等。