最詳盡32位MCU低功耗設(shè)計(jì)考量與經(jīng)典范例參考（二）

作者：時(shí)間：2013-12-14 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

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CE: normal; ORPHANS: 2; LETTER-SPACING: normal; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">　　低頻工作模式：CPU 內(nèi)核及周邊工作于低頻的時(shí)鐘源，例如 32.768K 晶震或內(nèi)部低頻 10K RC 震蕩器。通常此時(shí)最大的耗電來(lái)源為嵌入式閃存及 LDO 本身的耗電流。如果此時(shí)的執(zhí)行程序不大，可以考慮將程序運(yùn)作于 RAM 以降低平均功耗。請(qǐng)注意并不是所有 MCU 都能支援在RAM 執(zhí)行程序。

　　Idle 模式：CPU 內(nèi)核停止，時(shí)鐘源和被致能的周邊電路持續(xù)工作，直到周邊電路符合設(shè)定條件喚醒 CPU 進(jìn)行資料處理或控制執(zhí)行流程。通常高頻的運(yùn)行模式，CPU 及嵌入式快閃記憶體消耗相當(dāng)大比例的電流，故 Idle 模式能有效降低平均功耗。

　　待機(jī)RAM 保持模式：CPU 內(nèi)核及所有時(shí)鐘源關(guān)閉，內(nèi)建LDO 切換到低耗電模式，但是RAM 及 IO 管腳持續(xù)供電，維持進(jìn)入待機(jī)之前的狀態(tài)。

　　RTC 模式：CPU 內(nèi)核及高頻時(shí)鐘源關(guān)閉，內(nèi)建LDO 切換到低耗電模式，由于此時(shí) LDO 供電能力降低，僅能提供低耗電的周邊電路運(yùn)行，例如 32.768K 晶振、RTC （實(shí)時(shí)時(shí)鐘計(jì)數(shù)器）、BOD （降壓偵測(cè)或重置電路）、TN 單色LCD 直接驅(qū)動(dòng)電路等。

　　深層待機(jī)模式：CPU 內(nèi)核及所有時(shí)鐘源關(guān)閉，關(guān)閉 RAM 及LDO、BOD 等所有周邊電路的電源，僅IO 管腳（或部分IO管腳）持續(xù)供電，由IO管腳或重置（Reset）管腳喚醒 CPU。因?yàn)榇四Ｊ较拢琑AM 的資料已丟失，通常會(huì)進(jìn)行內(nèi)部電源切割，提供數(shù)十個(gè)狀態(tài)記錄暫存器作為系統(tǒng)重啟時(shí)的初始狀態(tài)參考源。此模式的優(yōu)點(diǎn)是更低的靜態(tài)電流，通常僅需 100nA ~ 500nA，其缺點(diǎn)是并非所有的應(yīng)用都可以忍受 RAM 資料丟失及系統(tǒng)重啟。