由于快速瞬變脈沖群的頻率很高，達(dá)到100MHz，此時(shí)光耦器件的高頻等效電路如圖2所示。一般廠家僅給出光耦器件的原、副方之間的電容(圖2中C1)的值，如TLP121光耦器件的電容值為0.8 pF。事實(shí)上，光耦器件的原方與副方接收三極管基極之問(wèn)存在雜散電容(圖2中C2)。

高頻瞬變騷擾在光耦器件構(gòu)成的開(kāi)入量輸入回路中傳輸途徑為：幅值極高的瞬變騷擾信號(hào)一光耦原方一原方與副方三極管基極之間的電容C2一副

方三極管的基極一集電極一電容C3，C4一大地，致使接收三極管導(dǎo)通，造成光耦器件誤翻轉(zhuǎn)，這就是光耦器件在快速瞬變脈沖群干擾下產(chǎn)生“瞬態(tài)飽和” 的根本原因。

4 改進(jìn)辦法

通過(guò)上述分析可以斷定，這次開(kāi)關(guān)誤合閘是由于電磁十?dāng)_通過(guò)光耦元件竄入同期開(kāi)入同路造成的，雖然具體的干擾源無(wú)法確定，但是測(cè)控裝置的

同期開(kāi)入確認(rèn)時(shí)間只有4 ms，這是明 偏短的。另外對(duì)測(cè)控裝置的同期開(kāi)入回路做開(kāi)入電壓測(cè)量試驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)，同期CPU板雖然采用24 V作為正常

開(kāi)入電壓，但是我們外加4 V電壓時(shí)，同期開(kāi)入就會(huì)動(dòng)作，這個(gè)電壓門(mén)檻也明顯偏低。

調(diào)試人員又做過(guò)多次遙控合閘和手動(dòng)合閘試驗(yàn)，遙控合閘時(shí)同期開(kāi)入從動(dòng)作到返回時(shí)間同定為120 ms，這個(gè)時(shí)間是由測(cè)控裝置整定的;手動(dòng)合閘

時(shí)同期開(kāi)入從動(dòng)作到返回時(shí)間就是人為操作6SA合閘過(guò)程的持續(xù)時(shí)間，這個(gè)時(shí)問(wèn)每次都大于200 ms。

為了提高測(cè)控裝置同期開(kāi)入的抗干擾能力，在跟廠家技術(shù)人員共同研究后，決定首先把同期開(kāi)入動(dòng)作電壓提高至24 V的55%～7()%，然后把同期

開(kāi)入確認(rèn)時(shí)間調(diào)整為8()ms，保證在同期合閘時(shí)有5()%的裕度。經(jīng)過(guò)這樣調(diào)整后，開(kāi)關(guān)沒(méi)有再發(fā)生誤合閘。

5 結(jié)束語(yǔ)

變電站的電磁干擾無(wú)處不在，微機(jī)化二次設(shè)備的抗干擾能力是衡量其性能好壞的一個(gè)重要指標(biāo)，因此就要求制造廠家在提高設(shè)備抗干擾方面多做考

慮。硬件方面要選用質(zhì)量好、抗干擾能力強(qiáng)的芯片，軟件方面不能一味追求動(dòng)作速度快，要在速度和可靠性之問(wèn)找好平衡點(diǎn)。