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TD-LTE射頻一致性測(cè)試系統(tǒng)數(shù)字中頻單元設(shè)計(jì)

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作者:張黎明 時(shí)間:2013-11-27 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  在中實(shí)現(xiàn)半帶與CIC,RAM資源消耗為零,且乘法器、查找表與寄存器消耗較少,具體資源分布情況如表2所示。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/192732.htm

  高速串行接口設(shè)計(jì)

  LTE基帶信號(hào)數(shù)據(jù)吞吐量較大。本設(shè)計(jì)根據(jù)串行RapidIO協(xié)議在中,分別例化一個(gè)4X的SRIO(Serial-RapidIO)核用于基帶板和數(shù)字中頻板之間連接,同時(shí)例化1個(gè)1X的SRIO核用于數(shù)字中頻板內(nèi)部連接。

  測(cè)試?yán)δ苣K設(shè)計(jì)

  TS 36.521-1測(cè)量規(guī)范定義了LTE終端的發(fā)射機(jī)測(cè)試、接收機(jī)測(cè)試和性能測(cè)試的過(guò)程和測(cè)量方法。其中,終端發(fā)射機(jī)測(cè)試內(nèi)容包括:(1)開環(huán)功率測(cè)量(OLP);(2)閉環(huán)功率控制(TPC步進(jìn)量:1/2/3dB);(3)最大/小輸出功率測(cè)試(APC);(4)關(guān)斷功率測(cè)試(PVT);(5)發(fā)射/關(guān)斷時(shí)間模板(ECTM);(6)頻率誤差(FE);(7)誤差矢量幅度(EVM);(8)鄰道泄漏抑制比(ACLR);(9)占用帶寬(OBW);(10)頻譜發(fā)射模板(SEM)。

  以上測(cè)試內(nèi)容中,第1、2、3、4測(cè)試項(xiàng)由FPGA獨(dú)立完成;第5、6、7、8、9、10測(cè)試項(xiàng)FPGA作為預(yù)處理器,再由處理后續(xù)復(fù)雜算法。

  本設(shè)計(jì)測(cè)試?yán)δ芊桨阜謺r(shí)域、頻域處理兩部分,時(shí)域、頻域處理流程如圖10、11所示。

  插值、成型濾波與符號(hào)同步子模塊設(shè)計(jì)

  該模塊插值選用CIC插值器,差值倍數(shù)為8倍。成型濾波選取“平方根升余弦”FIR,符號(hào)同步采用“平均功率最大值”算法。平方根升余弦滾降因子選0.22,F(xiàn)IR階數(shù)為96階,頻響曲線如圖12所示。

  FPGA中符號(hào)同步算法流程圖如圖13所示。

  RMS子模塊設(shè)計(jì)

  閉環(huán)功率控制測(cè)試、最大/小功率測(cè)試、關(guān)斷功率(PVT)測(cè)試和開環(huán)功率測(cè)試等模塊的檢波方式為“方均根”檢波(Root Mean Square),RMS定義如下:

  xi表示某一時(shí)刻數(shù)據(jù),N表示任一個(gè)連續(xù)取值的個(gè)數(shù)。由公式(15)可知,離散/數(shù)字信號(hào)的方均根(RMS)定義本身包含著“積分”概念,積分后的信號(hào)曲線有“平滑”的效果。該子模塊FPGA設(shè)計(jì)如圖14所示。

  在FPGA中方均根檢波后,功率信號(hào)為I2+Q2,以此信號(hào)為基準(zhǔn),設(shè)計(jì)邏輯電路捕獲脈沖信號(hào)并保存至雙口RAM中,上位機(jī)主控軟件從RAM中獲取數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)數(shù)(logarithm)處理并顯示。

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