從圖中可以看出，啟動(dòng)EDAC自檢后，EDAC開始巡檢RAM存儲(chǔ)單元，產(chǎn)生錯(cuò)誤中斷（標(biāo)志） 信號，給出錯(cuò)誤信息。當(dāng)單片機(jī)需要處理中斷時(shí)，將Check信號置‘0’，可暫時(shí)停止巡檢， 此時(shí)單片機(jī)可對RAM存儲(chǔ)單元進(jìn)行正常讀寫操作。等中斷處理完后，單片機(jī)將Check信號置 ‘1’，恢復(fù)RAM巡檢操作。

另外可通過Rw_En的置‘0’或‘1’，來控制禁止或允許進(jìn)行自糾錯(cuò)操作。

當(dāng)出現(xiàn)可識別的多位錯(cuò)誤時(shí)，產(chǎn)生Err和MErr兩個(gè)錯(cuò)誤中斷（標(biāo)志）信號，但由于漢明碼僅能糾正單比特錯(cuò)誤，因此不進(jìn)行自糾錯(cuò)操作。

從原注入錯(cuò)誤數(shù)據(jù)對應(yīng)的地址讀出數(shù)據(jù)，仿真輸出結(jié)果如圖4所示。

可以看出除最后一個(gè)地址（FFH）由于兩位錯(cuò)仍輸出錯(cuò)誤外，其他地址輸出數(shù)據(jù)均與地址相同，即為正確數(shù)據(jù)。

其中，24H、3CH、60H三個(gè)地址雖然輸出正確數(shù)據(jù)，但仍報(bào)錯(cuò)，表明存儲(chǔ)器內(nèi)數(shù)據(jù)仍然 為錯(cuò)誤數(shù)據(jù)，在輸出時(shí)進(jìn)行了糾錯(cuò)。這是由于在上次巡檢到這部分地址空間時(shí)，通過把Rw_En 信號拉低，從而禁止了自動(dòng)糾錯(cuò)，導(dǎo)致這三個(gè)地址錯(cuò)誤數(shù)據(jù)未被糾正。而在對其他地址進(jìn)行 數(shù)據(jù)讀取時(shí)，未產(chǎn)生錯(cuò)誤標(biāo)志，證明其他錯(cuò)誤數(shù)據(jù)已被糾錯(cuò)。

4 結(jié)論

本文在采用FPGA芯片實(shí)現(xiàn)基本EDAC讀寫功能的設(shè)計(jì)思路基礎(chǔ)上，創(chuàng)建了一種新型的可對 RAM存儲(chǔ)單元進(jìn)行自檢的EDAC功能模塊。該模塊不但可以對RAM存儲(chǔ)單元進(jìn)行快速巡檢，巡檢 時(shí)間僅為傳統(tǒng)EDAC方法的十二分之一，還可以自動(dòng)糾正已發(fā)現(xiàn)的錯(cuò)誤。該模塊最大的優(yōu)點(diǎn)在 于節(jié)省了單片機(jī)資源，幾乎不需要單片機(jī)的參與即可完成所有自檢功能，從而使基于FPGA 的星載計(jì)算機(jī)對SEU事件防護(hù)能力得到較大的提升。本文中該模塊采用Verilog硬件描述語言 編程，具有可移植性，這種設(shè)計(jì)方法可用于各種體系結(jié)構(gòu)的星載計(jì)算機(jī)中。

本文作者創(chuàng)新點(diǎn): 通過引入FPGA技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種靈活、高效的自檢EDAC電路，可在CPU 的控制下實(shí)現(xiàn)對錯(cuò)誤信息的自動(dòng)處理，并提出了該EDAC電路驗(yàn)證方法。