（1）電源的去耦：一般在設計該電路時，模擬電源、數(shù)字電源、時鐘電源都要采用0．01μF的電容來對各自的地進行旁路去耦。去耦電容應盡量靠近芯片電源的輸入端，最好采用表面貼裝元件以減小引線帶來的干擾，且電容和芯片應在同一層面上，以減少寄生的電感和電容。
　?。?）地的處理：模擬地、數(shù)字地和時鐘地應分別連接，這樣有助于消除數(shù)據(jù)和時鐘間的干擾，并應使用具有完整而獨立的地平面的多層電路板，以保證高速信號的完整性。各地平面之間的阻抗應盡可能小，兩兩之間的交流和直流壓差應低于0．3V。模擬地、時鐘地都應與數(shù)字地在電源輸入端單點連接，通常可采用磁珠連接或直接連接，以避免各地之間的干擾。
　?。?）高速信號的端接：在高速數(shù)字系統(tǒng)中，傳輸線上阻抗不匹配會引起信號反射。減小和消除反射的方法是根據(jù)傳輸線的特性阻抗在其發(fā)送端或接收端進行終端阻抗匹配，從而使源反射系數(shù)或負載反射系數(shù)接近于零。因此輸入的高速ECL時鐘和高速ECL數(shù)字信號在輸入芯片前一定要進行端接，以減小反射。
　　（4）散熱處理：由于TQ6124芯片的功耗較大，因此在設計電路時一定要加上散熱片，以保證芯片能夠正常工作。
　?。?）高速數(shù)字信號線和時鐘線應盡量遠離模擬信號線，數(shù)字信號線的周圍應布數(shù)字地，同樣模擬信號線周圍應布模擬地，時鐘周圍布時鐘地，以此來避免各信號間的干擾。
　　（6）所有的信號線都應盡可能短，如果信號線太長，則線間的串擾就可能會較大。
　　此外，在芯片的應用過程中，還需特別注意的 是：由于芯片鎖存數(shù)據(jù)是在時鐘的下降沿進行的，其時鐘與數(shù)據(jù)的時序關系如圖4所示，因此，為了保證數(shù)據(jù)的正確性，數(shù)據(jù)的變化最好在時鐘上升沿完成，以確保芯片在采樣數(shù)據(jù)時有足夠的建立時間。