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基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)

作者: 時(shí)間:2011-08-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

3 新型基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)
圖2為本文利用標(biāo)準(zhǔn)工藝設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電路。該電路主要由啟動(dòng)電路、和式電流產(chǎn)生電路、有效負(fù)載電路構(gòu)成。電路的基本原理是利用高性能和式電流源產(chǎn)生高電源抑制比的PTAT電流,再利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓N和P具有相同方向,但不同數(shù)量的溫度系數(shù)設(shè)計(jì)了一種基于不同值的新型基準(zhǔn)。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/187387.htm

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3.1 和式電流源電路
由圖2可見,和式電流產(chǎn)生電路由自舉式偏置電路(由MOS管M6~M9和電阻R2構(gòu)成)產(chǎn)生偏置電流。設(shè)M9與M8的寬長(zhǎng)比為K1,則有:
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g.jpg
但是由于體效應(yīng)的存在,使得R2中的電流隨電源電壓VDD的變化有一定改變。所以文中引入和式電流產(chǎn)生電路。
如圖2可知,電阻R1中的電流值為:
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式中:K2為M5與M6的寬長(zhǎng)比。
由于MOS管的柵源電壓VGS幾乎不隨電源電壓的變化而變化,由式(6)、式(7)可知MOS管M4中的電流IM4的變化方向與R2中的電流IR2隨電源電壓的變化方向相反。
由圖2可知,取K3,K4分別為M10與M7,M11與M2的寬長(zhǎng)比,M13與M12,M15與M14的寬長(zhǎng)比為1,則MOS管ML1中的電流I為:
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合理選擇式(8)中的K3,K4就能減小電源電壓VDD對(duì)電流I的影響。
由上面的分析和式電流源電路可以進(jìn)一步減小電源電壓對(duì)輸出電流的影響。



關(guān)鍵詞: CMOS VTH 電壓基準(zhǔn)

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