疊柵MOSFETs的結構設計與研究
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再利用MEDICI提取圖2中各自閾值電壓的值，見表2。在表2中我們可以看到同等條件下VT(stack)>VT，這時需要注意的是在溝道縮小到0．1μm時，單柵NMOS于短溝道效應的影響已經沒有閾值電壓了，MOSFET經失去了作用，而疊柵MOSFET則保持了一個比較合理的閾值，這已經證明了疊柵結構能有效的抑制短溝道效應。為了比較兩種結構的閾值電壓變化率，可調整疊柵NMOS的閾值電壓VT(stack)，使它在長溝道情況下與單柵NMOS的閾值電壓VT相等，然后比較兩種結構閾值電壓隨溝道長度的變化率。我們通過降低疊柵結構的溝道摻雜濃度的方法，這樣就會得到在長溝道情況下兩種結構閾值電壓相等。實際情況下，將疊柵MOSFET溝道摻雜降為2×1016／cm3時，就可以得到上述結果。仿真結果如圖3所示。本文引用地址：http://m.ptau.cn/article/180502.htm
同樣提取相同閾值電壓單柵NMOS的情況，再將兩者的提取值比較，如圖4所示。顯然得到的結果是在溝道長度低于0．5μm時，疊柵MOSFET的閾值電壓變化率比單柵MOSFET的要小，抑制短溝道效應能力也必然要大得多。
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