日本東北金屬公司科研人員在開(kāi)發(fā)SB—lM(相當(dāng)于PC50)材料時(shí)，發(fā)現(xiàn)通用的復(fù)合添加物SiO2CaO有一部分會(huì)在晶粒內(nèi)溶解，從而增大磁滯損耗，在500 kHz～1MHz條件下，其降低功率損耗的效果并不好．．為此，他們開(kāi)展了卓有成效的研究工作，期望找出不使磁滯損耗增大的更有效提高電阻率的添加物。表l列出了他們的研究成果，在這8種添加物中，Al2O3、SnO2、TiO2都溶解于晶粒內(nèi)，幾乎看不到有提高電阻率的效果，其它添加物主要在晶界內(nèi)游離。這些添加物中，HfO2對(duì)提高電阻率最為顯著[2]，其降低渦流損耗效果最佳。

在開(kāi)發(fā)高性能功率鐵氧體材料時(shí)，要充分利用前人的成果，不要花過(guò)多精力浪費(fèi)在配方和添加物的摸索上。總的配方和摻雜原則是盡可能地使磁晶各向異性常數(shù)K1和磁致伸縮常數(shù)λs趨近于零。選擇添加物要注意以下原則：
1)摻入添加物總量(wt％)應(yīng)控制在O．2％以下；
2)CaO(或CaCO3)和SiO2通常是不可或缺的添加物；

3)V2O5、Nb205、_Ti02、Ta2O5、HfO2、CO2O3等高價(jià)離子組合添加，組分不宜過(guò)多，最好不超過(guò)4種，每種添加物的重量一般應(yīng)控制在1000ppm，以下；
4)在上述各添加物中，除了Co3+子外，其它離子的K1值都是負(fù)值，如飛利浦公司開(kāi)發(fā)的3F3材料(介于PC40和PC50之間的一種材料)，基本技術(shù)要點(diǎn)就是同時(shí)添加了Ti4+和C03+以控制材料的溫度特性，減少磁滯損耗，如圖6所示。