全CMOS基準(zhǔn)電壓源的分析與仿真 作者： 時(shí)間：2011-08-10 來源：網(wǎng)絡(luò) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 2 自偏置MOS管基準(zhǔn)電壓源 電路如圖4所示。(W／L)1=(W／L)2=1．8μm／0．18μm，(W／L)3=(W／L)4=1．8μm／0．36μm。取R1=100Ω時(shí)，仿真結(jié)果如圖5所示。輸出電壓Vref對電源電壓的依賴性依然很強(qiáng)。可見，溫度在0～80℃變化時(shí)，輸出電壓在1．14～1．24V變化。 上一頁 1 2 3 4 下一頁
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