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一種新型高線性度采樣開關(guān)的設(shè)計

作者: 時間:2011-12-23 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

2 應(yīng)用Flip-around保持電路驗證
電容翻轉(zhuǎn)型(Flip-around)保持電路由于反饋系數(shù)β較大,等效到輸出的噪聲也相應(yīng)減小,同時與傳統(tǒng)的電荷傳輸型保持電路相比,其功耗更低。因此采用此結(jié)構(gòu)對進行驗證。
圖5是采用電容翻轉(zhuǎn)型采樣保持電路的結(jié)構(gòu)。為有效地抑制直流偏置和襯底噪聲,同時減小偶次諧波失真,提高度,采用全差分輸入輸出結(jié)構(gòu);又由于CMOS固有的非理想效應(yīng),如溝道電荷注入以及柵極時鐘饋通等,這會造成輸入與輸出之間的誤差,需采用下級板采樣技術(shù)克服。為與普通CMOS對管對比,進行2次FFT仿真,其中圖5中的輸入開關(guān)S0分別采用兩種不同的采樣開關(guān),即普通的CMOS對管開關(guān)和本文的采樣開關(guān)。兩種情況下其他開關(guān)均使用普通單管開關(guān)。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/178157.htm

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采用華虹NEC 0.18 μm MMCMOS工藝,電源電壓1.8 V,運用Cadence Spectre軟件以及Matlab對電路進行了仿真和FFT性能分析。圖5所示為采樣保持電路采樣率為100 MHz,輸入信號為47.94 MHz正弦波時的無雜散動態(tài)范圍(Spurious Free Dynamic Range,SFDR)FFT分析如圖7所示,其SFDR為91 dB。同理仿真得到同等條件下采用普通CMOS對管開關(guān)的采樣保持電路,其SFDR如圖6所示為72dB,通過對比,本文的采樣開關(guān)較普通CMOS開關(guān)的采樣保持電路的SFDR性能優(yōu)異,從而實現(xiàn)了目標(biāo)。

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3 結(jié)束語
設(shè)計了一種的采樣開關(guān),與傳統(tǒng)CMOS對管開關(guān)相比,其具有更好的度,可應(yīng)用在ADC的采樣保持等電路中,以使整個系統(tǒng)達到更好的SFDR。


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